双共振腔架构双频带LC-槽压控振荡器电路THE TWO STACKED LC-TANK DUAL BAND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR

摘要

本发明提供一种双共振腔架构双频带LC(电感电容)-槽压控振荡器(tank Voltage Controlled Oscillator,VCO)电路。本发明主要将两组具不同频带之LC槽压控振荡器电路串接，以提供双频带输出。并可在叠接点中，加入一组开关控制电路，以透过此开关电路来选择欲使用的LC槽压控振荡器电路，而得到所需的工作频带。而这两组LC槽压控振荡器可如同个别之单频LC槽压控振荡器般，给予最佳化设计。另外，可在叠接点中，另加入滤波器电路以提高振荡器性能，而此电路为两组LC槽压控振荡器所共用，因此可省下晶片面积。

主权项

1.一种射频讯号源选择装置,用以作为射频积体电路之讯号源,包含:一第一振荡器,耦接一电源端,用以输出一第一讯号;一第二振荡器,耦接一接地端,且耦接该第一振荡器于一叠接点,用以输出一第二讯号,其中该第二讯号与该第一讯号为不同频带;以及一选择电路,耦接该叠接点,用以根据一选择讯号来切换该第一振荡器与该第二振荡器,以输出该第一讯号或该第二讯号。2.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该电源端;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个N型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端;以及一尾端电感,其中该尾端电感之一端耦接该些N型电晶体之源极,并于另一端耦接该叠接点。3.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该该接地端;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个P型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端;以及一尾端电感,其中该尾端电感之一端耦接该些N型电晶体之源极,并于另一端耦接该叠接点。4.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该叠接点;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;以及至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个P型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端。5.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该叠接点;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;以及至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个N型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端。6.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之源极耦接该电源端,且其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起;一电感,其中该电感之两端分别耦接该二个P型电晶体之汲极;至少二个串连之可变电容分别耦接该电感之两端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;以及至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之汲极耦接该些P型电晶体之汲极,且其中该二个N型电晶体之源极耦接该叠接点,而其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起。7.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之源极耦接该接地端,且其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起;一电感,其中该电感之两端分别耦接该二个N型电晶体之汲极;至少二个串连之可变电容分别耦接该电感之两端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;以及至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之汲极耦接该些N型电晶体之汲极,且其中该二个P型电晶体之源极耦接该叠接点,而其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起。8.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中该选择电路包含一反向器电路。9.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一滤波器电路耦接该叠接点,用以过滤该选择电路所产生之杂讯。10.如申请专利范围第9项中所述之射频讯号源选择装置,其中该滤波器电路,包含:一电容,其中该电容之一端耦接该接地端,另一端耦接该叠接点。11.如申请专利范围第9项中所述之射频讯号源选择装置,其中该滤波器电路,包含:一第一滤波器电容,其中该第一滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接该叠接点;一第二滤波器电容,其中该第二滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接一电晶体之汲极,而该电晶体之源极耦接该叠接点,且该电晶体之闸极耦接一滤波器电路控制讯号;以及一第三滤波器电容,其中该第三滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接一电感,而该电感之另一端耦接该叠接点。12.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一输出整合电路,而该输出整合电路包含:一第一电晶体,其中该第一电晶体由该第一讯号控制;一第二电晶体,其中该第二电晶体由该第二讯号控制,并与该第一电晶体耦接于一共同连结点;以及一第三电晶体,其中该第三电晶体之闸极耦接该该共同连结点,并输出最终输出讯号。13.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一输出整合电路,而该输出整合电路包含:一第一电晶体,其中该第一电晶体由该第一讯号控制;一第二电晶体,其中该第二电晶体由一第一整合控制讯号控制,并耦接该第一电晶体,其中该第一整合控制讯号系与该选择讯号为倍频关系;一第三电晶体,其中该第三电晶体由该第二讯号控制;一第四电晶体,其中该第四电晶体由一第二整合控制讯号控制,而耦接该第三电晶体,并与该第二电晶体耦接于一共同连结点,其中该第二整合控制讯号系与该选择讯号为倍频关系;以及一第五电晶体,其中该第五电晶体之闸极耦接该共同连结点,并输出最终输出讯号。14.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中第一讯号系由电晶体之汲极产生。15.如申请专利范围第1项中所述之射频讯号源选择装置,其中第二讯号系由电晶体之汲极产生。16.一种射频讯号源选择装置,用以作为射频积体电路之讯号源,包含:一第一振荡器,耦接一电源端,用以输出一第一讯号;以及一第二振荡器,耦接一接地端,且耦接该第一振荡器于一叠接点,用以输出一第二讯号,其中该第二讯号与该第一讯号为不同频带,且该叠接点电位可使该第一振荡器与该第二振荡器同时振荡。17.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该叠接点电位介于电源端之电位与接地端之电位间。18.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该电源端;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个N型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端;以及一尾端电感,其中该尾端电感之一端耦接该些N型电晶体之源极,并于另一端耦接该叠接点。19.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该该接地端;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个P型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端;以及一尾端电感,其中该尾端电感之一端耦接该些N型电晶体之源极,并于另一端耦接该叠接点。20.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该叠接点;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;以及至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个P型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端。21.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个电感分别具有一第一端与一第二端,其中该些电感之该第一端耦接该叠接点;至少二个串连之可变电容分别耦接于该些电感之该第二端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;以及至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起,且该二个N型电晶体之汲极耦接该些电感之该第二端。22.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第一振荡器,包含:至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之源极耦接该电源端,且其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起;一电感,其中该电感之两端分别耦接该二个P型电晶体之汲极;至少二个串连之可变电容分别耦接该电感之两端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第一调变电压,藉以微调该第一讯号;以及至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之汲极耦接该些P型电晶体之汲极,且其中该二个N型电晶体之源极耦接该叠接点,而其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起。23.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中该第二振荡器,包含:至少二个N型电晶体,其中该二个N型电晶体之源极耦接该接地端,且其中该二个N型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起;一电感,其中该电感之两端分别耦接该二个N型电晶体之汲极;至少二个串连之可变电容分别耦接该电感之两端,该二个可变电容并具有一共同接点来耦接一第二调变电压,藉以微调该第二讯号;以及至少二个P型电晶体,其中该二个P型电晶体之汲极耦接该些N型电晶体之汲极,且其中该二个P型电晶体之源极耦接该叠接点,而其中该二个P型电晶体之闸极与汲极互相耦接一起。24.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一滤波器电路耦接该叠接点,用以过滤该选择电路所产生之杂讯。25.如申请专利范围第24项中所述之射频讯号源选择装置,其中该滤波器电路,包含:一电容,其中该电容之一端耦接该接地端,另一端耦接该叠接点。26.如申请专利范围第24项中所述之射频讯号源选择装置,其中该滤波器电路,包含:一第一滤波器电容,其中该第一滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接该叠接点;一第二滤波器电容,其中该第二滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接一电晶体之汲极,而该电晶体之源极耦接该叠接点,且该电晶体之闸极耦接一滤波器电路控制讯号;以及一第三滤波器电容,其中该第三滤波器电容之一端耦接该接地端,另一端耦接一电感,而该电感之另一端耦接该叠接点。27.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一输出整合电路,而该输出整合电路包含:一第一电晶体,其中该第一电晶体由该第一讯号控制;一第二电晶体,其中该第二电晶体由该第二讯号控制,并与该第一电晶体耦接于一共同连结点;以及一第三电晶体,其中该第三电晶体之闸极耦接该该共同连结点,并输出最终输出讯号。28.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,更包含一输出整合电路,而该输出整合电路包含:一第一电晶体,其中该第一电晶体由该第一讯号控制;一第二电晶体,其中该第二电晶体由一第一整合控制讯号控制,并耦接该第一电晶体,其中该第一整合控制讯号系与该选择讯号为倍频关系;一第三电晶体,其中该第三电晶体由该第二讯号控制;一第四电晶体,其中该第四电晶体由一第二整合控制讯号控制,而耦接该第三电晶体,并与该第二电晶体耦接于一共同连结点,其中该第二整合控制讯号系与该选择讯号为倍频关系;以及一第五电晶体,其中该第五电晶体之闸极耦接该共同连结点,并输出最终输出讯号。29.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中第一讯号系由电晶体之汲极产生。30.如申请专利范围第16项中所述之射频讯号源选择装置,其中第二讯号系由电晶体之汲极产生。图式简单说明:第1图为习知电容切换式LC-槽压控振荡器电路图。第2图为习知电感切换式LC-槽压控振荡器电路图。第3图为习知并联切换式LC-槽压控振荡器电路图。第4图为本发明之一较佳实施例的功能方块图。第5图为本发明之一较佳实施例的详细电路图。第6图为本发明之一较佳实施例的详细电路图。第7图为本发明另一较佳实施例的详细电路图。第8图为本发明之一较佳实施例的详细电路图。第9图为本发明之一较佳实施例的详细电路图。