| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit Ladungseinfachspeicherzellen, bei welchem die Stromflussrichtung von jedem Kanalbereich der Speichertransistoren quer zu den zugehörigen Wortleitungen verläuft, die Bitleitungen auf der Oberseite der Wortleitungen verlaufen und hiervon elektrisch isoliert sind und elektrisch leitfähige lokale Verbindungen von Source-/Drain-Bereichen vorliegen, die in Zwischenräumen zwischen den Wortleitungen, hiervon elektrisch isoliert, angeordnet sind, und mit den Bitleitungen verbunden sind, wobei die Gate-Elektroden in Gräben angeordnet sind, die wenigstens teilweise in dem Speichersubstrat ausgebildet sind.
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