用于相变存储器的加热电极材料及制备方法

摘要

本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为Ge_xW_yN_1－x－y、Ge_xTi_yN_1－x－y、Ge_xW_yO_1－x－y、Ge_xTi_yO_1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。

主权项

1.用于相变存储器的加热电极材料，其特征在于所述的加热电极材料为Ge基加热电极材料，它是指至少含Ge元素的加热电极材料，包括Ge的氮化物、氧化物、Ge与W或Ti的合金或化合物，Ge与W或Ti的合金或化合物的氮化物及Ge与W或Ti的合金或化合物的氧化物中的任一种。