| 发明名称 | 通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过循环沉积前体生产三元金属硅氮化物薄膜的改进方法。其改进在于使用金属氨化物和具有NH与SiH官能团的硅源作为前体，从而形成上述的金属－SiN薄膜。通过循环沉积将该前体顺序施加在基底的表面上。示范性的硅源是下式表示的单烷基氨基硅烷和肼基硅烷：(R<SUP>1</SUP>NH)<SUB>n</SUB>SiR<SUP>2</SUP><SUB>m</SUB>H<SUB>4－n－m</SUB>(n＝1、2；m＝0、1、2；n+m＝＜3)；和(R<SUP>32</SUP>N－NH)<SUB>x</SUB>Si<SUP>R</SUP>4<SUB>y</SUB>H<SUB>4－x－y</SUB> (x＝1、2；y＝0、1、2；x+y＝＜3)其中在上式中R<SUP>1－4</SUP>相同或不同，各自独立地选自烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、环烷基、氟代烷基、甲硅烷基烷基。 | ||
| 申请公布号 | CN1821440A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610008986.2 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 雷新建;H·思里丹达姆;K·S·库思尔;A·K·霍奇伯格 |
| 分类号 | C23C16/448(2006.01);C23C16/52(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | C23C16/448(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;赵苏林 |
| 主权项 | 1、一种在基底上形成金属硅氮化物薄膜的循环沉积方法，包括以下步骤：将金属氨化物引入到沉积室，并在热的基底上沉积一薄膜；吹扫沉积室以除去未反应的金属氨化物和任何副产物；将含有N-H片段和Si-H片段的硅化合物引入到沉积室中，并在热的基底上沉积一薄膜；吹扫沉积室以除去任何未反应的化合物和副产物；和重复该循环沉积工艺直到达到预定的薄膜厚度。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||