发明名称 |
暴露信号线以及在信号线与基片之间有间隙的半导体器件 |
摘要 |
一种半导体器件,其中包括:半导体芯片;连接到半导体芯片的信号电极的信号引线;与信号引线电连接的外部信号电极;沿着信号引线延伸的接地引线;以及密封半导体芯片、信号引线、外部信号电极和接地引线的密封树脂。该外部信号电极被形成为从密封树脂的下表面凸起的凸起电极,以及信号引线的一个表面暴露在密封树脂的下表面上。 |
申请公布号 |
CN1271711C |
申请公布日期 |
2006.08.23 |
申请号 |
CN02123002.1 |
申请日期 |
2002.06.13 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
三原孝行;赤崎裕二 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L23/28(2006.01);H01L23/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种半导体器件,其中包括:半导体芯片;分别传输高频信号并且分别连接到所述半导体芯片的信号电极的信号引线;分别与所述信号引线之一连接的外部信号电极;分别沿着所述信号引线之一延伸并且将每个所述信号引线彼此分开的接地引线;以及密封所述半导体芯片、所述信号引线、所述外部信号电极和所述接地引线的密封树脂,其中,每个所述外部信号电极被形成为从所述密封树脂的下表面凸起的凸起电极,并且每个所述信号引线的一个表面暴露在所述密封树脂的下表面上。 |
地址 |
日本神奈川 |