| 发明名称 | 具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器，它具有比SRAM快的存取时间、与DRAM相似的高密度以及类似快闪存储器的非易失性的特性。磁性随机存取存储器包括一个垂直结构晶体管、一条包括该晶体管的第一字线、一条连接该晶体管的接触线、一个沉积在接触线上的磁性隧道结单元、一个形成在磁性隧道结单元上的位线，以及一条形成在磁性隧道结单元位置处的位线上的第二字线。通过这种公开的结构，在使用简化的制造过程的同时，可以提高半导体器件的集成密度、提高短沟道效应，并提高电阻的控制率。 | ||
| 申请公布号 | CN1270385C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN02116362.6 | 申请日期 | 2002.03.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 车宣龙 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/822(2006.01);G11C11/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种磁性随机存取存储器，包括：一个垂直结构晶体管；一条连接到形成在垂直结构晶体管的侧壁处的栅电极的读取线；形成在漏极结区上的磁性隧道结单元，该漏极结区存在于垂直结构的上部之上；以及一条形成在磁性隧道结单元上部上的写入线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||