半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有含有不使金属硅化物构成的导电层劣化的硅氮化膜的绝缘膜。在硅化镍等金属硅化物的导电层9上均匀形成有以含碳的硅氮化膜为主成分的绝缘膜10。含碳的硅氮化膜通过氮化源和硅源的反应而成膜。作为硅源使用的六甲基乙硅烷具有甲基，所以在通过反应而形成的硅氮化膜中含有碳和氢。因此，如果含有甲基则膜本体变得稀疏，从而比介电常数下降，抑制了被称为RC延迟的晶体管的速度下降。通过使用含碳的硅氮化膜，在工序中金属硅化物的导电层不劣化。作为硅源，举出具有氨基、在自由基中具有碳化物的氨基等的物质。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的源和漏区，在所述半导体衬底的所述源和漏区间的沟道区上形成的栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜上形成的栅电极，在所述栅电极上，或所述栅电极以及源和漏区上形成的金属硅化物的导电层，其特征在于，还包括，为了至少与所述导电层相接而在所述半导体衬底上形成的含有碳的氮化硅膜，以及为了覆盖所述含有碳的氮化硅膜而在所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜。