| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种作为形成于半导体基片上的半导体装置，可有效利用半导体基片特长的半导体装置及其制造方法。在使支持基片(1)的晶 | ||
| 申请公布号 | CN1269224C | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN03178631.6 | 申请日期 | 2003.07.17 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 前田茂伸;前川繁登;松本拓治 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具备：SOI基片，支持基片、氧化膜层及SOI层被依次层积，上述支持基片的第1晶向的方向和与上述SOI层的上述第1晶向不同的第2晶向的方向一致；N沟道MIS晶体管，其包含有在上述SOI层上形成的栅极绝缘膜、在上述栅极绝缘膜上形成的栅极电极、上述SOI层内在与上述栅极电极邻接的位置形成的N型源极/漏极有源层、上述SOI层内至少在上述栅极电极的下方位置形成的P型本体层；以及本体电压施加用P型有源层，其形成于上述SOI层内，与上述P型本体层接触，其中，连接上述P型本体层与上述本体电压施加用P型有源层的通路被配置为与上述SOI层的晶向<100>平行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||