| 发明名称 | 在硅半导体表面制备有机分子线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属分子电子器件制备技术领域，具体为一种将有机分子嫁接到硅半导体表面以实现在硅半导体表面制备有机分子线的方法。本发明利用紫外光、等离子体手段对硅半导体表面进行处理，使硅表面产生可供进一步反应的活性点，这些活性点与有机分子上含有的活性官能团进行反应，在硅表面形成牢固的化学键，从而在硅半导体表面制备有机分子线。该方法可以适用于以硅半导体材料为基础的分子电子器件的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1810810A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510111834.0 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 戴郁菁;韦玮;黄维 |
| 分类号 | C07F7/02(2006.01);C07F7/08(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | C07F7/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种在硅表面制备有机分子线的方法，其特征在于利用紫外光或等离子体技术对硅表面进行处理，使硅表面产生可供进一步反应的活性点，这些活性点与有机分子上含有的活性官能团进行反应，在硅表面形成牢固的化学键，从而在硅半导体表面制得有机分子线。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||