| 主权项 |
1.一种四极场发射显示器,包括有: 一绝缘基板; 一阴极与次闸极层,包含一阴极板以及一次问极, 位于该绝缘基板上并相隔一段距离,常态下,该次 闸极之电压略高于该阴极板,使该阴极板所释放之 电子受吸引至该次闸极; 一闸极层,位于该阴极板之上,具有一穿透该闸极 层之开孔,使该阴极板边缘露出易于诱导该阴极板 之电子激发; 一介电层,阻隔于该阴极与次闸极层与该闸极层之 间;及 一阳极板,设置于该闸极层上方,使该激发之电子 射出并通过该开孔撞击至该阳极板。 2.如申请专利范围第1项所述之四极场发射显示器, 其中该开孔系同时露出该阴极板边缘与该次闸极 边缘。 3.如申请专利范围第1项所述之四极场发射显示器, 其中该阳极板包括: 一透光基板; 一阳极电极层,形成于该透光基板下方;及 一发光层,形成于该阳极电极层下方。 4.如申请专利范围第3项所述之四极场发射显示器, 其中该发光层系选自萤光层与磷光层之群组组合 。 5.如申请专利范围第1项所述之四极场发射显示器, 其中该阴极板、该闸极层与该阳极板系分别耦接 于一第一电压准位、一第二电压准位与一第三电 压准位,且该第三电压准位系高于该第二电压准位 ,该第二电压准位系高于该第一电压准位。 6.如申请专利范围第5项所述之四极场发射显示器, 其中该次闸极系耦接至一第四电压准位,该第四电 压准位系高于该第一电压准位与第二电压准位,并 低于该第三电压准位。 7.如申请专利范围第1项所述之四极场发射显示器, 其中该阴极板包括: 一阴极电极层; 一电阻层,形成于该阴极电极层上;及 一发射源,形成于该电阻层上。 8.如申请专利范围第7项所述之四极场发射显示器, 其中该些发射源系由包覆碳材的导电材料所形成 。 9.如申请专利范围第8项所述之四极场发射显示器, 其中该碳材系选自奈米碳材、钻石及类钻石之群 组组合。 图式简单说明: 第1图,系传统场发射显示器的基本结构; 第2图,系习知技术之场发射显示器之示意图; 第3图,系另一个习知技术之场发射显示器之阴极 结构示意图; 第4A图与第4B图,系分别为本发明之第一实施例之 四极场发射显示器之剖面图与上视示意图; 第5A图与第5B图,系分别为本发明之第二实施例之 四极场发射显示器之剖面图与上视示意图;及 第6图,系分别为本发明之第二实施例之四极场发 射显示器于暗状态下之电场分布。 |
