涂布之半导体晶圆,及制造该半导体晶圆之方法及装置

摘要

本发明之内容系藉化学蒸气沉积法(CVD)于半导体晶圆正面上沉积一层期间作为放置半导体晶圆之晶座，该晶座具有一透气之结构，该结构之孔积率至少为15％，密度为0.5至1.5公克／立方公分，孔直径低于0.1公厘及孔之内表面面积大于10000平方公分／立方公分。本发明之另一内容系具有背面及正面之半导体晶圆，该半导体晶圆之正面业经藉化学蒸气沉积法(CVD)涂布过且背面业经抛光或蚀刻过，其中该背面之奈米构形(以峰至谷之高度起伏变化表示)低于5奈米，同时背面之晕(以蒙雾表示)低于5个百万分点。