首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
METHOD OF DISCHARGING RESIDUAL VOLTAGE ON WAFER IN DECOUPLED PLASMA SOURCE APPARATUS
摘要
申请公布号
KR20060084522(A)
申请公布日期
2006.07.25
申请号
KR20050005198
申请日期
2005.01.20
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
CHOI, JAE SUN
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
利用乾膜真空层叠形成用于雷射与电浆切割的水溶性遮罩;WATER SOLUBLE MASK FORMATION BY DRY FILM VACUUM LAMINATION FOR LASER AND PLASMA DICING
半导体元件结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING SAME
晶圆状物件之液体处理用方法及设备;METHOD AND APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER SHAPED ARTICLES
半导体元件之传输系统及传输方法;SYSTEM AND METHOD FOR TRANSFERRING SEMICONDUCTOR ELEMENT
基板处理方法及基板处理装置;SUBSTRATE TREATING METHOD AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS
封装结构及其制造方法;PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
半导体元件的制造方法及半导体元件;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
半导体装置之制造方法;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
基板之处理装置及处理方法
基板处理装置及基板处理方法;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
整合至互补式金属氧化物半导体流程的互补式矽氧氮氧半导体;COMPLEMENTARY SONOS INTEGRATION INTO CMOS FLOW
形成嵌入电阻之可调温度系数的方法;METHODS OF FORMING TUNEABLE TEMPERATURE COEFFICIENT FOR EMBEDDED RESISTORS
使用具有磁性约束的电浆源的基于电浆的材料改质;PLASMA-BASED MATERIAL MODIFICATION USING A PLASMA SOURCE WITH MAGNETIC CONFINEMENT
薄型电感线圈之制造方法及其构造;THE MANUFACTURING METHOD AND THE STRUCTURE OF THE LOW PROFILE INDUCTOR COIL
薄膜电阻器制法
雷射蚀刻加工用导电性糊剂、导电性薄膜及导电性叠层体
连接构造体之制造方法
使用数个非依电性记忆体阵列管理资料之技术;MANAGING DATA USING A NUMBER OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS
非挥发性半导体记忆装置
具有上体连接的三维非挥发性记忆体单元结构;A THREE DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY CELL STRUCTURE WITH UPPER BODY CONNECTION
