| 主权项 |
1.一种用于化学机械平坦化(CMP,Chemical Mechanical Planarizaiton)系统之温度控制系统,该CMP系统包含一 线性研磨带、一可将基板施加至该线性研磨带上 之一预备位置之运送器,该温度控制系统包含: 一平台,具有复数个区域; 一温度感测器,用来测定该线性研磨带在该预备位 置之后一位置之温度;及 一控制器,用来调整温度调整过之流体往该平台之 该复数区域之选择区域之流动,其系回应于由该温 度感测器接收而来之输出讯号。 2.根据申请专利范围第1项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该复数区域包含六个压力区域。 3.根据申请专利范围第1项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该复数区域包含一中央区域与一周围 区域。 4.根据申请专利范围第3项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该周围区域包含至少5个环状压力区 域。 5.根据申请专利范围第1项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该平台包含一预湿输出孔与一后湿输 出孔。 6.根据申请专利范围第5项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中由该预湿输出孔与该后湿输出孔之至 少一者所输出之加热流体之温度可被改变。 7.根据申请专利范围第5项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该温度调整过之流体为洁净乾空气。 8.一种用于CMP系统之温度控制系统,该CMP系统包含 一线性研磨带、一可将基板施加至该线性研磨带 上之一预备位置之运送器,该温度控制系统包含: 一平台,具有复数个区域; 一温度感测器,用来测定该线性研磨带在该预备位 置之后一位置之温度; 一加热装置,位于该预备位置之前,且面对该线性 研磨代之一表面;及 一控制器,用来调整该加热装置之输出,其系回应 于由该温度感测器接收而来之输出讯号。 9.根据申请专利范围第8项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该复数区域包含六个压力区域。 10.根据申请专利范围第8项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该复数区域包含一中央区域与一周围 区域。 11.根据申请专利范围第10项之用于CMP系统之温度 控制系统,其中该周围区域包含至少5个环状压力 区域。 12.根据申请专利范围第8项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该平台包含一预湿输出孔与一后湿输 出孔。 13.根据申请专利范围第12项之用于CMP系统之温度 控制系统,其中由该预湿输出孔与该后湿输出孔之 至少一者所输出之加热流体之温度可被改变。 14.根据申请专利范围第8项之用于CMP系统之温度控 制系统,其中该复数区域输出加热流体。 15.根据申请专利范围第14项之用于CMP系统之温度 控制系统,其中该加热流体为洁净乾空气。 16.一种在CMP制程中加热研磨垫之设备,包含: 一平台,配置于该研磨垫之下,该平台具有一平台 板,其至少具有一可输出加热流体至该研磨垫下方 部分之压力区域; 一内歧管,藉着至少一流体输出连接至该平台,该 内歧管可藉着该至少一流体输出将该加热流体输 送至该平台之至少一压力区域; 一外歧管,藉着至少一歧管输出连接至该内歧管, 该外歧管可将该加热流体输送至该内歧管; 一加热器,藉着至少一加热器输出连接至该外歧管 ,该加热器可将流体加热至复数个设定温度之其中 之一,且可输送该加热流体至该外歧管;及 一控制器,连接至该内歧管与一研磨垫温度感测器 ,该控制器可监控研磨垫之温度,且可调整该加热 流体由该内歧管往该至少一压力区域之输出,以使 该研磨垫之温度与该设定温度相等。 17.根据申请专利范围第16项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该至少一压力区域包含六个压力 区域。 18.根据申请专利范围第17项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该至少一压力区域包含一中央区 域与一周围区域。 19.根据申请专利范围第18项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该周围区域包含至少5个环状压 力区域。 20.根据申请专利范围第16项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该平台包含一预湿输出孔与一后 湿输出孔。 21.根据申请专利范围第20项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中由该预湿输出孔与该后湿输出孔 之至少一者所输出之加热流体之温度可被改变。 22.根据申请专利范围第21项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该流体为洁净乾空气。 23.根据申请专利范围第16项之在CMP制程中加热研 磨垫之设备,其中该加热器可加热气体至华氏125度 。 24.一种在CMP制程中加热研磨垫之方法,包含: 测定该研磨垫之温度是否大致上与一设定点温度 相等; 如果该研磨垫之温度大致上与该设定点温度不相 等时, 调整由一平台之至少一压力区域所输出之加热流 体之温度与压力至少一者, 其中该调整步骤使该研磨垫温度与该设定点温度 大致上相等。 25.根据申请专利范围第24项之在CMP制程中加热研 磨垫之方法,其中该至少一压力区域包含一中央区 域与一周围区域。 图式简单说明: 图1A为一典型用于CMP系统中之线性研磨装置; 图1B为一线性研磨系统之侧视图; 图2A为依据本发明一实施例之CMP系统之侧视图; 图2B为依据本发明一实施例,具有一研磨垫加热器 之CMP系统之侧视图; 图3显示依据本发明一实施例之内歧管、外歧管与 加热器之间的连接关系; 图4A为依据本发明一实施例之平台的特写上视图; 图4B为依据本发明一实施例,如图4A所示平台之直 径切面之侧视图; 图4C显示依据本发明一实施例,具有同心温度区域 之平台结构; 图4D显示依据本发明一实施例,具有水平压力区域 之平台结构; 图4E为依据本发明一实施例之研磨垫加热处理之 示意图; 图5为依据本发明一实施例之网路图,其显示如何 透过不同构件之网路连接来控制温度; 图6A为依据本发明一实施例之PID控制之方块图,其 用来控制平台之区域n之温度(n为被控制之压力区 域数); 图6B为依据本发明一实施例之PID控制之方块图,其 藉着预湿输出孔与后湿输出孔来控制水温输送; 图7为依据本发明一实施例,加热研磨垫之方法的 流程图。 |
