半导体存储装置

摘要

本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。

主权项

1.一种半导体存储装置，其中设有：位于半导体基板上方的、有存储结点的、并能保持对应于二进制信息的逻辑电平的电荷的电容器，位于所述半导体基板的表面并控制在所述电容器中蓄积的电荷的进出的存取晶体管，以及位于所述半导体基板上的、维持所述电容器的存储结点的电位的闩锁电路；所述闩锁电路由以两个CMOS反相器构成的双稳态多谐振荡电路构成；构成所述闩锁电路的电路元件中至少有一个位于所述存取晶体管的上方。