| 发明名称 | 功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1805150A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510088226.2 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大田贤儿;山口义弘;山口博史 |
| 分类号 | H01L29/70(2006.01) | 主分类号 | H01L29/70(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种功率半导体器件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底，从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直形成的垂直部和与该垂直部连接的台面部；第二导电型的控制电极区域，形成在所述半导体衬底的第一主面内；第一导电型的第一主电极区域，形成在所述控制电极区域的表面内的一部分；第二导电型的第二主电极区域，形成在与所述第一主面相对的所述半导体衬底的第二主面内；以及环状的护圈，形成在所述半导体衬底的所述第二主面内，且包围所述第二主电极区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||