使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法

摘要

提供了使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法。接触电阻低的欧姆接触织物或具有整流特性的肖特基接触织物是通过将纳米尺寸的金属选择性沉积到氧化锌/半导体纳米棒的预定部分上并控制沉积金属的功函和金属/氧化锌的界面特性而形成的。接触织物可以用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管在内的电子元件、光学元件及其阵列中。

主权项

1.一种接触织物，其采用了金属/半导体纳米棒的异质结构，所述接触织物包含：在预定基材上生长的半导体纳米棒；和在半导体纳米棒的预定部分上沉积的金属，其中在纳米棒和金属之间有低接触电阻欧姆特性或有整流肖特基特性，所述特性依赖于纳米棒和金属之间的界面的特性并且依赖于功函之间的差值。