发明名称 | 发光二极管 | ||
摘要 | 本发明公开了一种发光二极管,在氮化铟镓发光二极管的各薄膜中分别添加铝原子,使其发出人眼完全看不见的波长为300-380纳米的紫外光;而此发光二极管可用以搭配不同颜色的荧光粉层或是量子井/量子点结构,使其激发出不同波长(颜色)的光线,以调变为不同波长(颜色)的发光二极管。 | ||
申请公布号 | CN1805157A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
申请号 | CN200510002199.2 | 申请日期 | 2005.01.14 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王德忠;卓昌正;苏忠杰;蔡敬恩;李政鸿 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
主权项 | 1.一种发光二极管,其特征在于,包含有:一基板;一成核层,设置在该基板上,且由AlxGa1-xN所形成,以解决晶格不匹配的现象,其中0≤x≤1;一缓冲层,设置在该成核层上;一n型接触层,设置在该缓冲层上,且电性连接在一n型电极,该n型接触层由n-AlxGa1-xN所形成,其中0≤x≤0.3;一n型被覆层,设置在该n型接触层上,且由n-AlxGa1-xN所形成,其中0≤x≤0.3;一发光层,设置在该n型披覆层上;一p型阻障层,形成在该发光层上,以防止载流子溢流,该p型阻障层由p-AlxGa1-xN所形成,其中0≤x≤0.4;一p型被覆层,是形成在该p型阻障层的上,以局限载流子,该p型被覆层是由p-AlxGa1-xN所形成,其中0≤x≤0.3;及一p型接触层,位于该p型被覆层之上,且电性连接于一p型电极,该p型接触层由p-AlxGa1-xN所形成,其中0≤x≤0.15;其中,当在该n型电极与该p型电极施加一适当的顺向偏压时,即可激发该发光层产生波长为300-380纳米的光线输出。 | ||
地址 | 台湾省新竹县 |