| 发明名称 | 具有改良局部平整度的半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体圆片的方法，该方法包含：在单一步骤内实施半导体圆片的双面同时研磨(1S-DDG)，其中该研磨加工是用以切削半导体圆片的唯一材料移除机械切削步骤。本发明还涉及具有改良的几何形状与毫微位相的半导体圆片。 | ||
| 申请公布号 | CN1265439C | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN02141985.X | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 格奥尔格·J·皮奇;米夏尔多·克斯坦;安东·胡贝尔 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B7/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体晶片的方法，该方法包括下列步骤：a)将一半导体锭分成多个半导体晶片，b)将半导体晶片的边缘磨圆，c)将半导体晶片的两面同时加以研磨，d)将半导体晶片加以抛光，其中，步骤c)是用来切削半导体晶片之表面的唯一材料移除机械切削步骤，以及其中，将具有根据日本工业标准/美国标准#2000网目或更细的研磨粒尺寸的陶瓷粘附研磨轮用于步骤c)的研磨。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||