单次可程式化唯读记忆体之制造方法

摘要

一种单次可程式化唯读记忆体之制造方法，此方法系先提供基底，于基底上依序形成穿隧氧化层、第一导体层、罩幕层及第一图案化光阻层。之后，以第一图案化光阻层为罩幕，于基底中形成沟渠。接着，形成绝缘层填满沟渠。然后，移除部分绝缘层。之后，形成预定为浮置闸极之部分第一导体层，再于其上形成顶盖层。接着，移除罩幕层，并于基底上依序形成第二导体层及第二图案化光阻层。继之，以第二图案化光阻层及顶盖层为罩幕，形成字元线及浮置闸极。最后，移除第二图案化光阻层，以及分别于字元线与浮置闸极两侧之基底中形成源极／汲极区。