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发明名称
适应性电浆源及使用适应性电浆源处理半导体晶圆的方法
摘要
一种适应性电浆源,以及一种使用该电浆源加工半导体晶圆的方法。该适应性电浆源具有一个装在用于加工半导体晶圆之反应室的上方并与位于该反应室下方的平板下电极对立的第一平板衬套,与一个从该衬套处做螺旋延伸并环绕着之的线圈组。该适应性电浆源可根据加工半导体晶圆的方法随意控制电容式耦合电浆源的蚀刻特性与电感式耦合电浆源的蚀刻特性,因此能够在单一机台以不同的条件执行蚀刻加工。
申请公布号
TW200626022
申请公布日期
2006.07.16
申请号
TW094131456
申请日期
2005.09.13
申请人
适性电浆科技股份有限公司
发明人
金南宪
分类号
H05H1/46;H01L21/3065
主分类号
H05H1/46
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
韩国
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