| 发明名称 | 增强和定位电容耦合等离子体的方法、设备和磁性部件 | ||
| 摘要 | 通过半导体晶片处理设备(10)的真空处理室(11)中射频(RF)偏置晶片支撑电极(24)邻近的永磁体部件(30)产生磁性增强的等离子体。在晶片支撑上待处理晶片(15)的周围设置了环形外围区域(24b)。使用多个磁体环(33－35)的磁体结构在外围区域上方形成磁通道，在该磁通道处产生离开晶片的等离子体。该磁场具有在环形外围区域上方平行于衬底支撑表面但是基本隔离于晶片的分量。优选地，该磁场具有在外围区域中平行于支撑表面的平坦部分。等离子体通过从外围区域向整个晶片表面扩散而传播。磁体可以被操控以优化邻近待处理的衬底的等离子体均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1802729A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200380109784.1 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 德尔克·拉塞尔 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 1.一种增强和定位电容耦合等离子体的方法，包括：在真空处理室中围绕晶片支撑的周边形成环形磁通道，所述环形磁通道环绕被支撑在所述支撑的中心区域上的晶片的外侧边缘；电容耦合RF能量到所述通道内，并且通过该能量在所述衬底支撑的环形外围区域上形成大致由所述通道限定的等离子体，其中所述形成于环形外围区域内的等离子体在被支撑在所述支撑的中心区域上的晶片上向内扩散，以对所述晶片进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||