存储器及其制造方法、使用方法和半导体器件及制造方法

摘要

不用高对准精度能制成的存储器及其制造方法和使用方法，在衬底上用第一最小工艺尺寸形成外围电路部分(第一半导体部分)，其上叠置用比第一最小工艺尺寸小的第二最小工艺尺寸形成的存储器部分(第二半导体部分)，用比第二最小工艺尺寸粗糙的对准精度叠置存储器部分(第二半导体部分)和外围电路部分(第一半导体部分)，在存储器部分中的字线和位线交叉的区域形成用2-端器件构成的存储单元，在字线和位线延伸的方向按至少两列配置连接字线和位线和外围电路部分的接点。

主权项

1.一种存储器装置，包括：外围电路部分，用第一最小工艺尺寸形成；存储器部分，叠置在所述的外围电路部分上，具有用小于所述第一最小工艺尺寸的第二最小工艺尺寸形成的多个存储单元；和接点部分，连接所述的外围电路部分和所述的存储器部分，其中，所述的存储器部分以比所述第二最小工艺尺寸低的对准精度与所述的外围电路部分叠置，在所述的接点部分中，连接到所述的外围电路部分的多个第一接点和连接到所述存储器部分的多个第二接点连接，所述第一接点的数量大于所述第二接点的数量，每个第二接点连接到至少一个第一接点，和每个所述的第一接点最多连接到一个第二接点。