| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中也不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1799132A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200480015408.0 | 申请日期 | 2004.05.31 |
| 申请人 | 大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：对在硅所形成的基板表面具有多个结晶面的半导体装置，在上述基板表面使用等离子体形成栅极绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||