一种成长超薄闸极氧化层之方法

摘要

本发明提供一种成长超薄闸极氧化层之方法，采用直流叠加交流电阳极氧化法，以去离子水为电解液，于矽晶片上形成超薄闸极氧化层。本发明通过在阳极氧化之直流电上叠加固定频率之交流电，来调节电解液中电场分布，使电解液中离子获得重新分布机会，最终获得均匀性更佳、具有低漏电流之闸极氧化层。该方法可广泛应用于制造各种金属氧化物半导体。