| 摘要 |
〔解决手段〕下层配线与上层配线介由层间绝缘膜被设置，而且上述下层配线与上述上层配线介由通孔拴塞进行电连接的半导体装置之制造方法。覆盖下层配线而于半导体基板之上形成层间绝缘膜。于层间绝缘膜中，形成使下层配线之表面露出的通孔，同时，于不存在通孔之层间绝缘膜之区域，将不及于下层配线深度之虚拟通孔，自通孔被形成之区域起，渐渐减少其密度而予以形成。填埋通孔与虚拟通孔而将金属层形成于半导体基板上。研磨半导体基板上，形成通孔拴塞与虚拟通孔拴塞。和通孔拴塞接触地形成上层配线。依该方法，可获得具有层间绝缘膜之高平坦性的半导体装置。 |
