制备材料芯片的k分分形掩膜方法

摘要

一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成k或(k+1)个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每旋转一次即溅射第一种元素的一个水平，旋转第一个周期后，芯片上有k个材料单元，以后每加入一种元素采用一张新掩膜，新掩膜是将当前芯片上材料单元区对应的每一个掩膜区域按照基本掩膜的分形方式进行分形而得到的，以此类推，即每张掩膜都有与基本掩膜相似的形状，经过n次分形叠加以k次旋转操作就得到最大水平数为k的任意n种元素组合而成的材料芯片。本发明方法不受元素的水平数限制，具有较强的实用性和普遍的适用性。

主权项

1、一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，其特征在于，以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成具有与其相似形状的k+1个区域，即k分分形：当3≤k≤6且k≠4时，采用正多边形分形法，即：确定一个正k边形，然后将其分割为面积尽可能大的k+1个同等大小的正k边形，其中除中心一个正k边形外的其余k个正k边形是中心对称而且两两相接的，将除中心外的k个正k边形中的一个设为通透状态；当k≥7时，采用内切圆分形法，即：首先确定一个圆，然后作该圆的k个内切圆，并且这k个内切圆分别沿大圆的圆周依次排列，相邻两个内切圆相互外切，将k个内切圆之一设为通透状态；将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每旋转一次即溅射第一种元素的一个水平，旋转第一个周期后，芯片上有k个材料单元，以后每加入一种元素采用一张新掩膜，新掩膜是将当前芯片上材料单元区对应的每一个掩膜区域按照基本掩膜的分形方式进行分形而得到的，以此类推，即每张掩膜都有与基本掩膜相似的形状，经过n次分形叠加以k次旋转操作就得到最大水平数为k的任意n种元素组合而成的材料芯片。