高压金属氧化半导体电晶体

摘要

一种可应用于显示器装置源极驱动器中解码器，以大幅节省电路布局面积之高压金属氧化半导体(HV MOS)电晶体。此高压金属氧化半导体电晶体包含两个掺杂区与一闸极，而两个掺杂区具有第一种导电型式并位于半导体基底中，闸极则具有相对于基底上第一种导电型式的第二种导电型式，且闸极位于两个掺杂区之间。因此，电路的布局面积可以大幅地减少。