| 主权项 |
1.一种制备半导体晶圆之方法,该半导体材料包括 至少一表面,其具有一磊晶矽层沉积于其上,及晶 圆内之一晶格空隙模板,使得在后续热处理受到热 处理时,在晶圆内形成一种具有非均匀深度分布之 氧析出物,该方法包含: 放置一半导体晶圆于一腔室中,且施加一磊晶覆层 至其一表面上,在施加覆层期间,该半导体晶圆系 与一容纳体形成热传导关系,且其中在施加覆层期 间,该半导体晶圆系静置在复数针体上,藉此,在施 加覆层期间,该半导体晶圆之大部分系与该容纳体 隔开至少1毫米之间距; 以加热源将经过磊晶覆层之半导体晶圆加热至至 少1175℃之温度,且在该加热期间,维持该半导体晶 圆与容纳体之间的间距;以及 在保持该晶圆与容纳体之间之间距的情况下,在腔 室内以至少10℃/秒之速率来冷却该经过加热及覆 层之半导体晶圆,直到该晶圆达到小于850℃之表面 温度为止。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该冷却速率 系至少15℃/秒。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该冷却速率 系至少20℃/秒。 4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该冷却速率 系至少50℃/秒。 5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该容纳体与 晶圆在施加覆层及加热与冷却该晶圆期间,系保持 至少2毫米之间距。 6.根据申请专利范围第3项之方法,其中该容纳体与 晶圆在施加覆层及加热与冷却该晶圆期间,系保持 至少2毫米之间距。 7.根据申请专利范围第4项之方法,其中该容纳体与 晶圆在施加覆层及加热与冷却该晶圆期间,系保持 至少2毫米之间距。 8.根据申请专利范围第2项之方法,其中该冷却速率 系至少15℃/秒,直到半导体之温度降低至至少325℃ 为止。 9.根据申请专利范围第3项之方法,其中该冷却速率 系至少20℃/秒,直到半导体之温度降低至至少325℃ 为止。 10.根据申请专利范围第4项之方法,其中该冷却速 率系至少50℃/秒,直到半导体之温度降低至至少325 ℃为止。 11.根据申请专利范围第2项之方法,其中该冷却速 率系至少15℃/秒,直到半导体之温度降低至至少400 ℃为止。 12.根据申请专利范围第3项之方法,其中该冷却速 率系至少20℃/秒,直到半导体之温度降低至至少400 ℃为止。 13.根据申请专利范围第4项之方法,其中该冷却速 率系至少50℃/秒,直到半导体之温度降低至至少400 ℃为止。 14.根据申请专利范围第2项之方法,其中该冷却速 率系至少15℃/秒,直到半导体之温度降低至至少450 ℃为止。 15.根据申请专利范围第3项之方法,其中该冷却速 率系至少20℃/秒,直到半导体之温度降低至至少450 ℃为止。 16.根据申请专利范围第4项之方法,其中该冷却速 率系至少50℃/秒,直到半导体之温度降低至至少450 ℃为止。 17.根据申请专利范围第1项之方法,其中该加热源 系光源。 18.根据申请专利范围第1项之方法,其中该加热源 系至少一卤素灯。 图式简单说明: 图1系显示可做为本发明之初始材料之单晶矽晶圆 之较佳结构。 图2系显示依照本发明之较佳实施例所制成之晶圆 之氧气沉淀分布轮廓。 图3系显示依照本发明之较佳实施例所制成之晶圆 之氧气沉淀分布轮廓,其中该初始材料系采用富含 空洞之单晶矽晶圆。 图4系概要地显示用以将一晶圆定位在一反应器中 之机构。 图5系一断面立体视图,其中显示用以在晶圆上形 成覆层及形成剥露区域之反应器,且其中该反应器 之一部分系加以切开,以显示其内部细部结构。 |
