发明名称 |
Cr<SUP>4+</SUP>:Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>透明激光陶瓷材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种Cr<SUP>4+</SUP>:Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>透明激光陶瓷材料的制备方法,属特种固体激光陶瓷材料制备工艺技术领域。本发明采用高纯度的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MgO和Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为原料;以Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为基体材料,以Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为激光激活掺杂材料,以MgO为电荷补偿掺杂材料;以Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基体材料的重量为100作为计量基准,掺杂材料的掺入量为:Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>0.1-1.0wt%,MgO 0.05-0.15wt%。按上述配方配制好的原料经搅拌混和,并在蒸馏水中混磨24小时后,在150℃下烘干,随后加入聚乙烯醇粘结剂进行造粒,然后在200MPa冷等静压下压成片状试样,然后在煅烧炉中常压还原气氛下进行烧结,烧结温度为1650~1800℃,烧结时间为2~10小时,然后在1300℃下在空气中退火处理3~8小时,最终获得致密透明的Cr<SUP>4+</SUP>:Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>激光陶瓷材料。 |
申请公布号 |
CN1778758A |
申请公布日期 |
2006.05.31 |
申请号 |
CN200510030134.9 |
申请日期 |
2005.09.29 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
杨秋红;徐军;曾智江;苏良碧 |
分类号 |
C04B35/10(2006.01);C04B35/622(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/10(2006.01) |
代理机构 |
上海上大专利事务所 |
代理人 |
顾勇华 |
主权项 |
1.一种Cr4+:Al2O3透明激光陶瓷材料的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:a.采用高纯99.99%Al2O3、99%MgO和99.99%Cr2O3为原料;以Al2O3为基体材料,以Cr2O3为激光激活掺杂材料,以MgO为电荷补偿掺杂材料;以Al2O3基体材料的重量为100作为计量基准,掺杂材料的掺入量为:Cr2O3 0.05~1wt%,MgO 0.05~0.15%wt%;b.将按上述配方配制好的Al2O3基体材料和其他各掺杂材料进行搅拌混和,混合料在蒸馏水中混磨24小时;c.随后在150℃温度下烘干,然后加入浓度为5wt%的聚乙烯醇粘结剂,加入量为5wt%,并进行造粒;d.粉粒在200MPa冷等静压下压成片状试样,随后在800℃预烧3小时将聚乙烯醇粘结剂烧掉;e.将上述预烧后的试样放在钼丝炉中,在常压还原气氛下进行烧结,烧结温度范围为1650~1800℃,烧结时间为2~10小时;f.将烧结好的陶瓷样品在空气中于1300℃下退火处理3~8小时,最终获得致密透明的Cr4+:Al2O3激光陶瓷材料。 |
地址 |
200444上海市宝山区上大路99号 |