| 发明名称 | 包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层的多层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多层结构，其包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层(SiGe层)，该层的组成为Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>且该层的晶格常数与硅的晶格常数不同，以及沉积在该SiGe层上、组成为Si<SUB>1－y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>、与螺旋位错相结合的薄界面层，以及至少一层沉积在该界面层上的其他的层。本发明还涉及一种用于制造该多层结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1773686A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510116264.4 | 申请日期 | 2005.11.04 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 彼得·施托克 |
| 分类号 | H01L21/365(2006.01);C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/365(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、多层结构，其包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层(SiGe层)，该层的组成为Si1-xGex且该层的晶格常数与硅的晶格常数不同，其特征在于，所述的多层结构还包括沉积在所述SiGe层上、组成为Si1-yGey、与螺旋位错相结合的薄界面层，以及至少一层沉积在所述界面层上的其他的层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||