发明名称 | 具凹陷端电极多电路元件晶片之制造方法及其成品 | ||
摘要 | 一种具凹陷端电极多电路元件晶片之制造方法,先提供一基体,此基体之上表面由左而右并列间隔地延伸数条导电区块且分别于各导电区块之左、右两端设置一贯穿基体之上、下表面之穿孔,该方法系先于穿孔壁面溅镀形成一金属膜,形成一保护层于基体之上表面,以覆盖该等导电区块的中间部分,及电镀基体以于各该裸露之穿孔壁面形成端电极,进而达到两相邻端电极间的保持一定距离之功效。 | ||
申请公布号 | TW200616103 | 申请公布日期 | 2006.05.16 |
申请号 | TW093134911 | 申请日期 | 2004.11.15 |
申请人 | 大毅科技股份有限公司 | 发明人 | 凌溢骏;江财宝 |
分类号 | H01L21/4763 | 主分类号 | H01L21/4763 |
代理机构 | 代理人 | 恽轶群;陈文郎 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县芦竹乡南山路2段470巷26号 |