PROCEDIMIENTO DE FORMACIN DE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO O DE NITRURO DE UN ELEMENTO DEL GRUPO III SOBRE UN SUSTRATO ADAPTADO.

摘要

Producto intermediario para la realización de componentes ópticos, electrónicos u optoeléctricos, que comprende una capa cristalina de carburo de silicio cúbico sobre un sustrato monocristalino, caracterizado porque el sustrato es de silicio-germanio, estando presente el germanio en una proporción atómica comprendida entre 5 y 20%.