| 发明名称 | 氧化铝原子淀积层的新预处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化铝原子淀积层的新预处理方法，在同一台氧化铝原子层淀积炉内进行多晶硅半球形栅层表面上淀积氮化硅层的预处理步骤和在其上淀积氧化铝介质层的工艺步骤。克服了操作困难，工艺流程长，容易污染，使用的设备多，制造成本高等缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN1767173A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200410067501.8 | 申请日期 | 2004.10.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈国庆;三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/314(2006.01);C23C16/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;竺明 |
| 主权项 | 1、氧化铝原子淀积层的新预处理方法，包括步骤： 步骤1：淀积厚度为400到500的多晶硅栅层；然后， 步骤2：进行热处理形成多晶硅半球形晶体，以增大多晶硅栅层的表 面面积； 步骤3：进行预处理，完成了步骤1和步骤2后制成的晶片放入要淀 积氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)原子层的氧化铝原子层淀积炉内，氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)原 子层淀积炉内引入NH3或N<sub>2</sub>O气与例如氩气(Ar)或氦气(He)或氮气 (N2)的混合气体，在500℃到700℃的温度下处理，生成厚度为5到40 的氮化硅(SiNx)层；这个表面氮化处理过程也可以通过远距离等离子氮 化来实现； 步骤4：经过步骤3处理的晶圆不从原子层淀积炉内取出，在同一台 氧化铝原子层淀积炉内淀积氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)，氧化铝原子层淀积炉内直接 引入三甲基铝(TMA)和臭氧(O<sub>3</sub>)或水蒸汽(H<sub>2</sub>O)，使三甲基铝和臭 氧或水蒸汽进行化学反应，具体的化学反应式是： <chemistry num="001"><chem file="200410067501_cml005.xml" /></chemistry>在氮化硅(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>或SiN<sub>x</sub>)保护层上淀积厚度为50的氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)， 其特征是，步骤3和步骤4在同一台氧化铝原子层淀积炉内进行，顺 序淀积氮化硅(SiNx)保护层和氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||