发明名称 用于低电力系统之半导体记忆元件
摘要 一种包含于一半导体记忆体元件中之装置,用以将一位元线和一互补位元线预充电,并感测及放大传送至该位元线和该互补位元线其中之一的资料,该装置包括一预充电装置,用以将该位元线和该互补位元线预充电为接地;一感测放大装置,用以藉由使用一低电压和一高电压来感测并放大该资料,其中该低电压具有低于接地之电压准位,而该高电压具有高于供应电压之电压准位;以及一辅助感测放大装置,系耦合至该位元线和该互补位元线,用以控制该位元线和该互补位元线之各电压准位。
申请公布号 TW200614268 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094100350 申请日期 2005.01.06
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜熙福;安进弘
分类号 G11C7/06 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国