发明名称 半导体记忆体使用的电荷帮浦
摘要 一种改进了的电荷帮浦电路,其用以在一电荷迁移的过程中,控制一电荷传输电晶体之临界电压的升高,并在一电荷的非迁移过程中,防止闭锁的发生。电荷传输电晶体将一增压节点之电压传输到一高电压产生终端,以此响应一控制节点之电压。在一主体连接开关,在此电荷迁移过程中,高电压产生终端连接到此电荷传输电晶体的主体,而在此电荷的非迁移过程中,此主体连接到低电压,此电压低于表现在此电荷传输电晶体之增压节点的电压,或低于高电压产生终端的电压。电荷迁移的效率和帮浦运作的可靠性得到了改进,举例来说,这提高了在一半导体记忆体中资料存取的可靠性。
申请公布号 TW200614261 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094127263 申请日期 2005.08.11
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李炫锡;庾炯植
分类号 G11C5/14;G05F1/10 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国