| 发明名称 | 电成型金属化 | ||
| 摘要 | 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN1764349A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510109804.6 | 申请日期 | 2005.06.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | D·R·埃文斯;J·W·哈特泽尔 |
| 分类号 | H05K3/00(2006.01);G02F1/1345(2006.01) | 主分类号 | H05K3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1、一种用于电成型金属集成电路结构的方法，该方法包括：穿过第一层间绝缘体形成开口，露出基片表面；形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及电成型覆盖触击层表面的第一金属结构。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||