Maskenrohling, Herstellungsverfahren für eine Phasenänderungsmaske und Herstellungsverfahren für eine Form

摘要

Ein Phasenveränderungsmaskenrohling (10) mit einem sehr dünnen Film (einem Chromnitridfilm) (2), der an einem Quarzsubstrat (1) zum Bilden eines Phasenveränderungsmusters (1P) vorgesehen ist, und ein daran gebildeter Resistfilm (3) werden als Material verwendet, ein Resistmuster (3P) wird an dem Resistfilm (3) gebildet, der sehr dünne Film (2) wird unter Einsatz des Resistmusters als Maske geätzt, wodurch ein Muster eines sehr dünnen Films (2P) gebildet wird, das Quarzsubstrat (1) wird durch Einsatz des sehr dünnen Filmmusters (2P) als Maske geätzt, wodurch das Phasenveränderungsmuster (1P) gebildet wird, und ein Lichtabschirmfilm (4) wird an dem Substrat (1) gebildet, wodurch die Bildung des Phasenveränderungsmusters (1P) und die Beseitigung des Resistmusters (3) abgeschlossen sind, und der Lichtabschirmfilm (4) wird einem selektiven Ätzen durch Einsatz eines Resists (5) unterworfen, wodurch das Phasenveränderungsmuster (1P) belichtet wird, während ein Abschirmabschnitt (4A) in einem erforderlichen Teil belassen wird. Somit wird eine Phasenveränderungsmaske erhalten. Die Dicke des sehr dünnen Films (2) wird als minimale Dicke eingestellt, die zum Bilden eines Phasenveränderungsmusters an dem Quarzsubstrat (1) durch Einsatz des sehr dünnen Filmmusters (2P) als Maske erforderlich ist.