| 主权项 |
1.一种判断电解电容老化状态之侦测装置,系连接 到一电解电容之两电极端以取得一涟波电压讯号, 包括有: 一高通滤波器,连接于该电解电容,系接收该涟波 电压讯号,用以滤除该涟波电压讯号之直流成分; 一第一低通滤波器,连接于该高通滤波器,系接收 该涟波电压讯号,用以滤除该涟波电压之高频突波 成分; 一整流滤波器,连接于该第一低通滤波器,系将该 涟波电压讯号进行讯号之波形整流,用以取得一含 有交流成分之直流讯号; 一第二低通滤波器,连接于该整流滤波器,系接收 该含有交流成分之直流讯号,并滤除交流成分以输 出一直流控制讯号; 一磁滞比较器,连接于该第二低通滤波器,系接收 该直流控制讯号,用以延缓控制侦测电路之动作; 一讯号延迟单元,连接于该磁滞比较器,系用来作 为避免电路启动时,电解电容因暂态现象所造成之 误动作;及 一驱动单元,连接于该讯号延迟单元,系接收该直 流控制讯号用以驱动一警示元件。 2.如申请专利范围第1项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该高通滤波器系由一RC电路 与一讯号增益电路连接组成。 3.如申请专利范围第1项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该第一低通滤波器或第二低 通滤波器系由一RC电路与一讯号增益电路连接组 成。 4.如申请专利范围第1项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该整流滤波器系由一二极体 、一电阻及一电容连接组成。 5.如申请专利范围第1项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该磁滞比较器系由至少二电 阻及至少一比较器连接组成。 6.如申请专利范围第1项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该讯号延迟单元系由一RC电 路及至少一比较器连接组成。 7.一种判断电解电容老化状态之侦测装置,系连接 到一电解电容之两电极端以取得一涟波电压讯号, 包括有: 一带通滤波器,连接于该电解电容,系接收该涟波 电压讯号,用以滤除该涟波电压讯号之直流成分极 高频突波成分; 一整流低通滤波器,连接于该带通滤波器,系将该 滤波后之电压讯号进行讯号之波形整流及二次滤 波,以输出一直流控制讯号; 一讯号判断单元,连接于该整流低通滤波器,系接 收该直流控制讯号,用以延缓控制侦测装置之动作 ,并用来作为避免电路启动时,电解电容因暂态现 象所造成之误动作;及 一驱动单元,连接于该讯号判断单元,系接收该直 流控制讯号用以驱动一警示元件。 8.如申请专利范围第7项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该带通滤波器系由一高通滤 波器连接一第一低通滤波器组成。 9.如申请专利范围第7项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该整流低通滤波器系由一整 流滤波器连接一第二低通滤波器组成。 10.如申请专利范围第7项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该讯号判断单元系由一磁滞 比较器连接一讯号延迟单元组成。 11.如申请专利范围第8项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该高通滤波器系由一RC电路 与一讯号增益电路连接组成。 12.如申请专利范围第8项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该第一低通滤波器系由一RC 电路与一讯号增益电路连接组成。 13.如申请专利范围第9项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该整流滤波器系由一二极体 、一电阻及一电容连接组成。 14.如申请专利范围第9项所述之判断电解电容老化 状态之侦测装置,其中该第二低通滤波器系由一RC 电路与一讯号增益电路连接组成。 15.如申请专利范围第10项所述之判断电解电容老 化状态之侦测装置,其中该磁滞比较器系由至少二 电阻及至少一比较器连接组成。 16.如申请专利范围第10项所述之判断电解电容老 化状态之侦测装置,其中该讯号延迟单元系由一RC 电路及至少一比较器连接组成。 图式简单说明: 第一图系为电解电容等效电路示意图; 第二图为本发明电路方块示意图; 第三图为本发明高通滤波器电路示意图; 第四图为本发明低通滤波器电路示意图; 第五图为本发明电压讯号整流前后之波形示意图; 第六图为本发明整流滤波器之电路示意图; 第七图为本发明磁滞比较器电路示意图; 第八图为本发明磁滞比较器之转换特性曲线示意 图; 第九图为本发明讯号延迟单元之电路示意图;及 第十图为本发明之实施例示意图。 |
