发明名称 具有低波峰电流的准位移位器
摘要 本发明提供一种可将其位准在第一电压位准与接地电压位准之间变动的输入讯号,转换成其位准在第二电压位准与接地电压位准之间变动的输出讯号的准位移位器。该准位移位器包括一个第一输入电晶体与一个第二输入电晶体,分别用来接收输入讯号与输入讯号的反向讯号;一个第一负载电晶体与一个第二负载电晶体,每一电晶体的一边系电性连接至第二电压位准;一个第一开关电晶体,电性连接在第一负载电晶体与第一输入电晶体之间,根据反向讯号作出回应;一个第二开关电晶体,电性连接在第二负载电晶体与第二输入电晶体之间,根据输入讯号作出回应;一个第一输出单元,用来产生一输出讯号;以及一个第二输出单元,用来产生输出讯号的一互补讯号。
申请公布号 TWI252946 申请公布日期 2006.04.11
申请号 TW093102998 申请日期 2004.02.10
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 金庆月;全龙源
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种准位移位器,可将其位准在一第一电压位准 与一接地电压位准之间变动的一输入讯号,转换成 其位准在一第二电压位准与该接地电压位准之间 变动的一输出讯号,该准位移位器包括: 一第一输入电晶体与一第二输入电晶体,分别用来 接收一输入讯号与该输入讯号的一反向讯号; 一第一负载电晶体与一第二负载电晶体,且每一该 些电晶体的一边系电性连接至该第二电压位准; 一第一开关电晶体,电性连接在该第一负载电晶体 与该第一输入电晶体之间,而且该第一开关电晶体 会根据该反向讯号作出回应; 一第二开关电晶体,电性连接在该第二负载电晶体 与该第二输入电晶体之间,而且该第二开关电晶体 会根据该输入讯号作出回应; 一第一输出单元,响应在位于该第一负载电晶体与 该第一开关电晶体之间的一节点上所产生的一讯 号,以及在位于该第一输入电晶体与该第一开关电 晶体之间的一节点上所产生的一讯号,产生该输出 讯号;以及 一第二输出单元,响应在位于该第二负载电晶体与 该第二开关电晶体之间的一节点上所产生的一讯 号,以及在位于该第二输入电晶体与该第二开关电 晶体之间的一节点上所产生的一讯号,产生该输出 讯号的一互补讯号。 2.如申请专利范围第1项所述之准位移位器,其中该 第一及该第二输入电晶体系为NMOS电晶体。 3.如申请专利范围第1项所述之准位移位器,其中该 第一及该第二负载电晶体系为PMOS电晶体。 4.如申请专利范围第3项所述之准位移位器,其中该 第一负载电晶体的一闸极,系电性连接至该第二输 入电晶体与该第二开关电晶体之间的该节点,而且 该第二负载电晶体的一闸极,系电性连接至该第一 输入电晶体与该第一开关电晶体之间的该节点。 5.如申请专利范围第1项所述之准位移位器,其中该 第一及该第二开关电晶体系为PMOS电晶体。 6.如申请专利范围第1项所述之准位移位器,其中该 第一输出单元包括在该第二电压位准与该接地电 压位准之间串联的一PMOS电晶体与一NMOS电晶体, 其中,在位于该第一负载电晶体与该第一开关电晶 体之间的该节点所产生的一讯号,系施加至该PMOS 电晶体的一闸极,在位于该第一输入电晶体与该第 一开关电晶体之间的该节点所产生的一讯号,系施 加至该NMOS电晶体的一闸极,而且该输出讯号,系由 位于该PMOS电晶体与该NMOS电晶体之间的一节点输 出。 7.如申请专利范围第1项所述之准位移位器,其中该 第二输出单元包括在该第二电压位准与该接地电 压位准之间串联的一PMOS电晶体与一NMOS电晶体, 其中,在位于该第二负载电晶体与该第二开关电晶 体之间的该节点所产生的一讯号,系施加至该PMOS 电晶体的一闸极,在位于该第二输入电晶体与该第 二开关电晶体之间的该节点所产生的一讯号,系施 加至该NMOS电晶体的一闸极,而且该输出讯号的该 互补讯号,系由位于该PMOS电晶体与该NMOS电晶体之 间的一节点输出。 8.一种准位移位器,可将其位准在一第一电压位准 与一接地电压位准之间变动的一输入讯号,转换成 其位准在一第二电压位准与该接地电压位准之间 变动的一输出讯号,该准位移位器包括: 第一到第四节点; 一第一PMOS电晶体,该第一PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第二电压位准、该第一节点、及该第四 节点的一源极、一汲极、以及一闸极; 一第二PMOS电晶体,该第二PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第一节点、该第二节点、及该输入讯号 的一反向讯号的一源极、一汲极、以及一闸极; 一第一NMOS电晶体,该第一NMOS电晶体包括分别电性 连接至该第二节点、该接地电压位准、及该输入 讯号的一汲极、一源极、以及一闸极; 一第三PMOS电晶体,该第三PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第二电压位准、该第三节点、及该第二 节点的一源极、一汲极、以及一闸极; 一第四PMOS电晶体,该第四PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第三节点、该第四节点、及该输入讯号 的一源极、一汲极、以及一闸极; 一第二NMOS电晶体,该第二NMOS电晶体包括分别电性 连接至该第四节点、该接地电压位准、及该输入 讯号的该反向讯号的一汲极、一源极、以及一闸 极; 一第五PMOS电晶体,该第五PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第二电压位准、该第一节点、及一输出 节点的一源极、一闸极、以及一汲极; 一第三NMOS电晶体,该第三NMOS电晶体包括分别电性 连接至该输出节点、该第二节点、及该接地电压 位准的一汲极、一闸极、以及一源极; 一第六PMOS电晶体,该第六PMOS电晶体包括分别电性 连接至该第二电压位准、该第三节点、及一互补 输出节点的一源极、一闸极、以及一汲极;以及 一第四NMOS电晶体,该第四NMOS电晶体包括分别电性 连接至该互补输出节点、该第四节点、及该接地 电压位准的一汲极、一闸极、以及一源极。 9.如申请专利范围第8项所述之准位移位器,更加包 括一反相器,用来将该第一电压位准当成一电源使 用,反向该输入讯号,并且输出该输入讯号的该反 向讯号。 图式简单说明: 第1图系绘示用在一TFT-LCD驱动器中的习知的准位 移位器的电路图。 第2图系绘示一个用来说明第1图中所示的习知的 准位移位器动作的时序图。 第3图系绘示根据本发明一较佳实施例用在一TFT- LCD驱动器中的准位移位器的电路图。 第4图系绘示一个用来说明根据本发明一较佳实施 例如第3图所示的准位移位器动作的时序图。
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