半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进行干式蚀刻。进而，由采用例如CVD法的NSG膜(10)添埋槽部(8)，构成隔离区域的沟槽(12)由采用例如CVD法的HTO膜(13)及多晶硅膜(14)添埋。通过该制造方法，可抑制N型埋入扩散层(2)超出必要而爬上，得到具有所希望的耐压特性的半导体装置。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在形成有集电极埋入扩散层的半导体层上形成槽，通过蚀刻除去至少位于所述槽的上端部的所述半导体层；通过气相生长法由第一绝缘膜添埋所述槽后，从所述第一绝缘膜表面形成沟槽，通过气相生长法由第二绝缘膜添埋所述沟槽，研磨所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜；自所述半导体层表面形成集电极扩散层、基极扩散层及发射极扩散层。