| 发明名称 | 一种改进的高密度存储单元 | ||
| 摘要 | 一种存储器单元，包括：耦合在一供电导线和一控制线之间的CMOS反向器，所述反向器具有一软节点和一硬节点；一耦合在一位线和所述软节点之间的存取晶体管，用于根据沿所述控制线接收的控制信号有选择地把所述位线耦合到所述软节点；一耦合在所述软节点和所述供电导线之间的反馈晶体管，所述反馈晶体管响应于所述硬节点用于在第一逻辑状态下锁定所述反向器，从而利用流经所述存取晶体管的、大于流经所述反馈晶体管的电流的漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1248237C | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN01805996.1 | 申请日期 | 2001.03.05 |
| 申请人 | 睦塞德技术公司 | 发明人 | 里卡德·福斯;科马克·奥康奈尔 |
| 分类号 | G11C15/04(2006.01);G11C11/412(2006.01);H01L21/8244(2006.01);H01L27/11(2006.01) | 主分类号 | G11C15/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 龚海军 |
| 主权项 | 1、一种存储器单元，包括：(a)耦合在一供电导线和一控制线之间的CMOS反向器，所述反向器具有一软节点和一硬节点；(b)一耦合在一位线和所述软节点之间的存取晶体管，用于根据沿所述控制线接收的控制信号有选择地把所述位线耦合到所述软节点；(c)一耦合在所述软节点和所述供电导线之间的反馈晶体管，所述反馈晶体管响应于所述硬节点用于在第一逻辑状态下锁定所述反向器，从而利用流经所述存取晶体管的、大于流经所述反馈晶体管的电流的漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省 | ||