| 摘要 |
本发明系关于一种MOS(金属氧化物半导体)电晶体，其包含：一第一传导型区域；一形成于该第一传导型区域之最外层部分上的第二传导型汲极区；一形成于该第一传导型区域之最外层部分上的第二传导型源极区，在该第二传导型汲极区与第二传导型源极区之间具有一通道区域；一形成于该通道区域上的闸电极；一形成于平面正视图中之第二传导型汲极区内侧的第二传导型基极区；形成于第二传导型基极区中的复数个第一传导型发射极区，其在该第二传导型基极区之最外层部分上在一预定方向上以空间间隔；及一横跨地连接于相邻之两个第一传导型发射极区及在此等相邻之两个第一传导型发射极区之间之第二传导型汲极区部分之汲极接触件。 |
