层积陶瓷电容

摘要

本发明系包括：内部电极层3、与具有未满2μm之厚度的层间介电质层2之层积陶瓷电容器1，其特征在于：前述层间介电质层2系包含复数之介电质粒子2a所构成，前述介电质层2中的介电质粒子2a全体之粒度分布之标准差σ(无单位)，当前述层间介电质层2中的介电质粒子2a之全体平均粒径为D50(单位：μm)，具有平均粒径在前述D50之2.25倍以上之介电质粒子(粗粒)在前述介电质粒子2a全体中之存在比率为p(单位：%)时，前述σ与p'满足σ<0.130，p<12%之层积陶瓷电容器1。藉由本发明，即使在将层间介电质层2薄层化之情况下，也可以提供可期待各种电气特性，特别是同时具有充分之介电率且TC偏压特性增加之层积陶瓷电容器1。

主权项

1.一种层积电容器,包括:内部电极层及具有未满2 m之厚度的层间介电质层之层积陶瓷电容器, 其特征在于: 前述层间介电质层系包含复数之介电质粒子所构 成,前述介电质层2中的介电质粒子2a全体之粒度分 布之标准差(无单位)时,前述满足<0.130。 2.如申请专利范围第1项之层积电容器,其中,前述 层间介电质层中的介电质粒子之全体平均粒径为D 50(单位:m),具有平均粒径在前述D50之2.25倍以上 之介电质粒子(粗粒)在前述介电质粒子全体中之 存在比率为p(单位:%)时,前述p,满足p<12%。 图式简单说明: 图1系与本发明之一实施方式有关之层积陶瓷电容 器之概略剖面图。 图2系图1所示之层间介电质层2之重要部份之扩大 剖面图。 图3系表示在实施例中经过脱黏结剂处理、烧成以 及回火之各温度变化之图表。 图4系表示实施例试料9之热腐蚀的后之烧结体之 断面状态之SEM图片。 图5系表示比较例试料1之热腐蚀的后之烧结体之 断面状态之SEM图片。 图6系表示在实施例试料9中之构成层间介电质层 之介电质粒子之粒径与频度之关系之图表。 图7系表示在比较例试料1中之构成层间介电质层 之介电质粒子之粒径与频度之关系之图表。