| 主权项 |
1.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准晶圆状之加工对象物之内部 而照射雷射光,在前述加工对象物之内部以吸收多 光子而形成改质区域,利用此种改质区域,在沿着 前述加工对象物之切断预定线而由前述加工对象 物之雷射光射入面而隔有所定距离内侧上,形成作 为切断之起点的区域。 2.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准晶圆状之加工对象物之内部 ,在聚光点上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽 度为1s以下之条件下而照射雷射光,在前述加工 对象物之内部形成含有裂开区域之改质区域,利用 此种改质区域,在沿着前述加工对象物之切断预定 线而由前述加工对象物之雷射光射入面而隔有所 定距离内侧上,形成作为切断之起点的区域。 3.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准晶圆状之加工对象物之内部 ,在聚光点上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽 度为1s以下之条件下而照射雷射光,在前述加工 对象物之内部形成含有融熔处理区域之改质区域, 利用此种改质区域,在沿着前述加工对象物之切断 预定线而由前述加工对象物之雷射光射入面而隔 有所定距离内侧上,形成作为切断之起点的区域。 4.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准晶圆状之加工对象物之内部 ,在聚光点上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽 度为1s以下之条件下而照射雷射光,在前述加工 对象物之内部形成含有折射率变化区域之改质区 域,利用此种改质区域,在沿着前述加工对象物之 切断预定线而由前述加工对象物之雷射光射入面 而隔有所定距离内侧上,形成作为切断之起点的区 域。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点区 域形成方法,其中由雷射光源所射出之前述雷射光 系包含有脉冲雷射光。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点区 域形成方法,其中使聚光点对准前述加工对象物之 内部而照射雷射光,系指将由一个雷射光源所射出 之雷射光进行聚光,将聚光点对准至前述加工对象 物内部而照射雷射光。 7.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点区 域形成方法,其中使聚光点对准前述加工对象物之 内部而照射雷射光,系指由从多个雷射光源射出之 各雷射光,在加工对象物之内部上使聚光点被对准 ,而从不同方向进行照射。 8.如申请专利范围第7项之切断起点区域形成方法, 其中从前述多个雷射光源射出之各雷射光,是从该 加工对象物之表面射入。 9.如申请专利范围第7项之切断起点区域形成方法, 其中该多个雷射光源含有:使从该加工对象物之该 表面射入之雷射光被射出用之雷射光源,及从该加 工对象物之里面射入之雷射光被射出用之雷射光 源。 10.如申请专利范围第7项之切断起点区域形成方法 其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之预 定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源部 。 11.如申请专利范围第8项之切断起点区域形成方法 ,其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之 预定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源 部。 12.如申请专利范围第9项之切断起点区域形成方法 ,其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之 预定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源 部。 13.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该改质区域对于对准前述加工 对象物之内部的雷射光之聚光点,是由于与该加工 对象物相对地移动而形成的。 14.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该加工对象物含有玻璃。 15.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该加工对象物含有压电材料。 16.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该加工对象物含有半导体材料 。 17.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该加工对象物具有所照射之雷 射光的透过性。 18.如申请专利范围第1至4项中任一项之切断起点 区域形成方法,其中该加工对象物之该表面形成有 电子装置或电极图形。 19.一种加工对象物切断方法,其特征为具备有下列 程序:藉由申请专利范围第1至18项中任一项之切断 起点区域形成方法而形成作为切断之起点的区域 后,沿着前述切断预定线而切断前述加工对象物的 切断程序。 20.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准由半导体材料所形成之晶圆 状之加工对象物的内部,在聚光点上以峰功率密度 1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下而 照射雷射光,在前述加工对象物之内部形成改质区 域,利用此种改质区域,沿着前述加工对象物之切 断预定线,而由前述加工对象物之雷射光射入面而 隔有所定距离内侧上,形成作为切断起点之区域的 程序。 21.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准由压电材料所形成之晶圆状 之加工对象物的内部,在聚光点上以峰功率密度11 08(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下而照 射雷射光,在前述加工对象物之内部形成改质区域 ,利用此种改质区域,沿着前述加工对象物之切断 预定线,而由前述加工对象物之雷射光射入面而隔 有所定距离内侧上,形成作为切断起点之区域的程 序。 22.如申请专利范围第1至4、20至21项中任一项之切 断起点区域形成方法,其中前述加工对象物系在其 表面上形成有多数个电路部,使雷射光对准面对该 多数个电路部中相邻之电路部之间形成的间隙的 该加工对象物之内部。 23.如申请专利范围第22项之切断起点区域形成方 法,其中在雷射光不照射到该多数个电路部上之角 度下,使雷射光被进行聚光。 24.一种切断起点区域形成方法,其特征为具备有下 列程序:使聚光点对准至由半导体材料所形成之晶 圆状之加工对象物之内部而照射雷射光,在前述半 导体材料之内部形成融熔处理区域,利用此种融熔 处理区域,沿着前述加工对象物之切断预定线,而 由前述加工对象物之雷射光射入面而隔有所定距 离内侧上,形成作为切断起点之区域的程序。 25.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准至晶圆状之加工对象物之内部而照射雷射光, 沿着前述加工对象物之切断预定线而在前述加工 对象物之内部中,在沿着前述加工对象物之雷射光 射入面的方向上,以多光子吸收而形成改质区域, 藉此来切断前述加工对象物。 26.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 25项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述雷射光射入面而隔有所定 距离内侧上。 27.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准晶圆状之加工对象物之内部,在聚光点上以峰 功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之 条件下而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断 预定线而在前述加工对象物之内部中,在沿着前述 加工对象物之雷射光射入面之方向上,利用形成含 有裂开区域之改质区域来切断前述加工对象物。 28.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 27项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述加工对象物之雷射光射入 面而隔有所定距离内侧。 29.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准晶圆状之加工对象物之内部,在聚光点上以峰 功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之 条件下而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断 预定线而在前述加工对象物之内部中,在沿着前述 加工对象物之雷射光射入面之方向上,利用形成含 有融熔处理区域之改质区域来切断前述加工对象 物。 30.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 29项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述加工对象物之雷射光射入 面而隔有所定距离内侧。 31.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准晶圆状之加工对象物之内部,在聚光点上以峰 功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之 条件下而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断 预定线而在前述加工对象物之内部中,在沿着前述 加工对象物之雷射光射入面之方向上,利用形成含 有作为已变化折射率之折射率变化区域的改质区 域来切断前述加工对象物。 32.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 31项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述加工对象物之雷射光射入 面而隔有所定距离内侧。 33.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准至由半导体材料所形成之晶圆状之加工对象 物的内部,在聚光点上以峰功率密度1108(W/cm2)以上 且脉冲宽度为1s以下之条件下而照射雷射光,沿 着前述加工对象物之切断预定线而在前述加工对 象物之内部中,在沿着前述加工对象物之雷射光射 入面之方向上,利用形成改质区域来切断前述加工 对象物。 34.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 33项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述加工对象物之雷射光射入 面而隔有所定距离内侧。 35.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准至由压电材料所形成之晶圆状之加工对象物 的内部,在聚光点上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且 脉冲宽度为1s以下之条件下而照射雷射光,沿着 前述加工对象物之切断预定线而在前述加工对象 物之内部中,在沿着前述加工对象物之雷射光射入 面之方向上,利用形成改质区域来切断前述加工对 象物。 36.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 35项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 改质区域形成在由前述加工对象物之雷射光射入 面而隔有所定距离内侧。 37.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准由半导 体材料所形成之晶圆状之加工对象物的内部而照 射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定线而在 前述加工对象物之内部中,利用在沿着前述加工对 象物之雷射光射入面之方向上形成融熔处理区域 来切断前述加工对象物。 38.一种加工对象物切断方法,系于申请专利范围第 37项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前述 融熔处理区域形成在由前述加工对象物之雷射光 射入面而隔有所定距离内侧。 39.一种加工对象物切断方法,其特征为具备有下列 程序:系藉由申请专利范围第24项之切断起点区域 形成方法而形成作为切断之起点的区域后,沿着前 述切断预定线而切断前述加工对象物的切断程序 。 40.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准加工对象物之内部而照射雷射 光,在前述加工对象物之内部以吸收多光子而形成 改质区域,利用此种改质区域,在靠近加工对象物 之雷射光射入面侧之前述加工对象物表面隔离所 定距离内侧之区域上,来形成预定切断线的程序。 41.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准加工对象物之内部,在聚光点 上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s 以下之条件下而照射雷射光,在前述加工对象物之 内部形成含有裂开区域之改质区域,利用此种改质 区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述 加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形 成预定切断线的程序。 42.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准加工对象物之内部,在聚光点 上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s 以下之条件下而照射雷射光,在前述加工对象物之 内部形成含有融熔处理区域之改质区域,利用此种 改质区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之 前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上, 来形成预定切断线的程序。 43.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准加工对象物之内部,在聚光点 上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s 以下之条件下而照射雷射光,在前述加工对象物之 内部形成含有折射率已变化区域之折射率变化区 域之改质区域,利用此种改质区域,在靠近加工对 象物之雷射光射入面侧之前述加工对象物表面隔 离所定距离内侧之区域上,来形成预定切断线的程 序。 44.如申请专利范围第40至43项中任一项之预定切断 线形成方法,其中从该雷射光源射出之雷射光为含 有脉冲雷射光。 45.如申请专利范围第40至43项中任一项之预定切断 线形成方法,其中使聚光点对准加工对象物之内部 而照射雷射光,是使从一个雷射光源射出之雷射光 被聚光,然后使聚光点对准加工对象物之内部而照 射雷射光。 46.如申请专利范围第40至43项中任一项之预定切断 线形成方法,其中使聚光点对准加工对象物之内部 而照射雷射光,是使从多个雷射光源射出之各雷射 光,在加工对象物之内部上使聚光点被对准,而从 不同方向进行照射。 47.如申请专利范围第46项之预定切断线形成方法, 其中从多个雷射光源射出之各雷射光,是从该加工 对象物之该表面射入。 48.如申请专利范围第46项之预定切断线形成方法, 其中该多个雷射光源含有,使从该加工对象物之该 表面射入之雷射光被射出用之雷射光源,及从该加 工对象物之里面射入之雷射光被射出用之雷射光 源。 49.如申请专利范围第46项之预定切断线形成方法, 其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之预 定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源部 。 50.如申请专利范围第47项之预定切断线形成方法, 其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之预 定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源部 。 51.如申请专利范围第48项之预定切断线形成方法, 其中该多个雷射光源为,使沿着该加工对象物之预 定切断线的雷射光源含有成阵列状配置之光源部 。 52.如申请专利范围第40至43项中任一项之预定切断 线形成方法,其中该改质区域对于对准加工对象物 之内部的雷射光之聚光点,是由于与该加工对象物 相对地移动而形成的。 53.一种预定切断线形成方法,其特征在于,具备有 切断程序,为藉由申请专利范围第40至52项中任一 项之预定切断线形成方法而形成预定切断线,之后 ,便沿着前述预定切断线来切断前述加工对象物。 54.如申请专利范围第40至43、53项中任一项之预定 切断线形成方法,其中该加工对象物含有玻璃。 55.如申请专利范围第40至43、53项中任一项之预定 切断线形成方法,其中该加工对象物含有压电材料 。 56.如申请专利范围第40至43、53项中任一项之预定 切断线形成方法,其中该加工对象物含有半导体。 57.如申请专利范围第40至43、53项中任一项之预定 切断线形成方法,其中该加工对象物具有所照射之 雷射光的透过性。 58.如申请专利范围第40至43、53项中任一项之预定 切断线形成方法,其中该加工对象物之该表面形成 有电子装置或电极图形。 59.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准半导体材料之内部,在聚光点 上以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s 以下之条件下而照射雷射光,在前述半导体材料之 内部形成改质区域,利用此种改质区域,在靠近半 导体材料之雷射光射入面侧之前述半导体材料表 面隔离所定距离内侧之区域上,来形成预定切断线 的程序。 60.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准压电材料之内部,在聚光点上 以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以 下之条件下而照射雷射光,在前述压电材料之内部 形成改质区域,利用此种改质区域,在靠近压电材 料之雷射光射入面侧之前述压电材料表面隔离所 定距离内侧之区域上,来形成预定切断线的程序。 61.如申请专利范围第40至43、53、59、60项中任一项 之预定切断线形成方法,其中该加工对象物之表面 上形成有多数个电路部,使雷射光对准面对该多数 个电路部中相邻之电路部之间形成的间隙的该加 工对象物之内部。 62.如申请专利范围第61项之预定切断线形成方法, 其中在雷射光不照射到该多数个电路部上之角度 下,使雷射光被进行聚光。 63.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使聚光点对准半导体材料之内部而照射雷射 光,在前述半导体材料之内部仅形成融熔处理区域 ,利用此种融熔处理区域,在靠近半导体材料之雷 射光射入面侧之前述半导体材料表面隔离所定距 离内侧之区域上,来形成预定切断线的程序。 64.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使被形成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射 光之聚光点被对准加工对象物之内部,而且沿着显 示有雷射光之椭圆偏光的椭圆长轴,藉由将雷射光 照射至前述加工对象物而在前述加工对象物之内 部形成利用吸收多数光子之改质区域,利用此种改 质区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前 述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来 形成预定切断线的程序。 65.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使被形成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射 光之聚光点被对准加工对象物之内部,在聚光点上 以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以 下之条件,将雷射光沿着表示雷射光之椭圆偏光之 椭圆之长轴而移动照射,在前述加工对象物之内部 形成含有裂开区域之改质区域,利用此种改质区域 ,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加工 对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成预 定切断线的程序。 66.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使被形成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射 光之聚光点被对准加工对象物之内部,在聚光点上 以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以 下之条件,将雷射光沿着表示雷射光之椭圆偏光之 椭圆之长轴而移动照射,在前述加工对象物之内部 形成含有融熔处理区域之改质区域,利用此种改质 区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述 加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形 成预定切断线的程序。 67.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序:使被形成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射 光之聚光点被对准加工对象物之内部,在聚光点上 以峰功率密度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以 下之条件,将雷射光沿着表示雷射光之椭圆偏光之 椭圆之长轴而移动照射,在前述加工对象物之内部 形成含有折射率已变化之区域之折射率变化区域 之改质区域,利用此种改质区域,在靠近加工对象 物之雷射光射入面侧之前述加工对象物表面隔离 所定距离内侧之区域上,来形成预定切断线的程序 。 68.如申请专利范围第64至67项中任一项之预定切断 线形成方法,其中该椭圆偏光为椭圆率是零之直线 偏光。 69.如申请专利范围第64至67项中任一项之预定切断 线形成方法,其中该椭圆偏光之椭圆率由1/4波长板 之方位变化而进行调节。 70.如申请专利范围第68项之预定切断线形成方法, 其中该椭圆偏光之椭圆率由1/4波长板之方位变化 而进行调节。 71.如申请专利范围第64至67项中任一项之预定切断 线形成方法,其中具备有:在该改质区域被形成之 后,使雷射光之偏光由1/2波长板而转动约90,而使 该加工对象物上被雷射光照射之程序。 72.一种切断线形成方法,其特征在于具备有下述程 序:在以申请专利范围第64至67项中任一项之预定 切断线形成方法而进行预定切断线形成后,将前述 加工对象物之厚度方向设为轴,使前述加工对象物 仅旋转约90,以使该加工对象物上被雷射光照射之 程序。 73.一种切断方法,其特征在于,具备有切断程序,为 使被形成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚 光点被对准加工对象物之内部,将于前述加工对象 物上之雷射光沿着表示雷射光之椭圆偏光之椭圆 之长轴而移动照射、形成改质区域,利用此种改质 区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述 加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形 成预定切断线,且沿着此种预定切断线来切断前述 加工对象物的程序。 74.一种预定切断线形成装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之雷射光; 椭圆率调节装置,用来使该雷射光源所射出之雷射 光被调节成椭圆率为1以外之椭圆偏光; 长轴调节装置,使该椭圆率调节装置所调节之脉冲 雷射光之椭圆偏光被显示之椭圆长轴,沿着该加工 对象物之预定切断线上被调节; 聚光装置,使该长轴调节装置所调节之脉冲雷射光 之聚光点的峰功率密度在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对焦装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 控制装置,控制前述移动装置,前述聚光装置以及 前述对焦装置,在加工对象物内,沿着前述移动装 置之移动方向形成改质区域,利用此种改质区域, 在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加工 对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成预 定切断线。 75.如申请专利范围第74项之预定切断线形成装置, 其中具备有90转动调节装置,使该椭圆率调节装置 所调节之雷射光的偏光仅以约90而被进行转动调 节。 76.如申请专利范围第74项之预定切断线形成装置, 其中具备有转动装置,使载置有加工对象物之载置 台以该加工对象物之厚度方向做为轴心,而仅以约 90而被转动。 77.一种预定切断线形成装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下而且具有 直线偏光之脉冲雷射光; 直线偏光调节装置,使该雷射光源所射出之脉冲雷 射光的直线偏光之朝向,为使沿着该加工对象物之 预定切断线上被调节; 聚光装置,使该直线偏光调节装置所调节之脉冲雷 射光之聚光点的峰功率密度在1108(W/cm2)以上,而使 脉冲雷射光被聚光; 对焦装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 控制装置,控制前述移动装置,前述直线偏光调节 装置以及前述对焦装置,在加工对象物内,沿着前 述移动装置之移动方向形成改质区域,利用此种改 质区域,在靠近加工对象物之脉冲雷射光射入面侧 之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域 上,来形成预定切断线。 78.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,根据脉冲雷射光之功率大小之输入 ,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的功率大小可被 调节; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及改质点的尺寸之相关关系预 先被记忆; 尺寸选择装置,可根据输入之脉冲雷射光之功率大 小,使此大小之功率所形成之改质点的尺寸,从该 相关关系记忆装置中被选出; 尺寸显示装置,可由该尺寸选择装置所选择之改质 点的尺寸被显示出来。 79.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光用透镜,使从该雷射光源所射出之脉冲雷射光 之聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使 脉冲雷射光被聚光; 开口数调节装置,根据开口数之大小的输入,使含 有该聚光用透镜之光学系统之开口数之大小被调 节; 对准装置,使由该聚光用透镜所聚光之脉冲雷射光 之聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该预定切断线使脉冲雷射光之聚光 点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及改质点的尺寸之相关关系预 先被记忆; 尺寸选择装置,可根据输入之脉冲雷射光之功率大 小,使此大小之功率所形成之改质点的尺寸,从该 相关关系记忆装置中被选出; 尺寸显示装置,可由该尺寸选择装置所选择之改质 点的尺寸被显示出来。 80.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 透镜选择装置,含有使从该雷射光源所射出之脉冲 雷射光之聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以 上,而使脉冲雷射光被聚光用之多个聚光用透镜, 且可选择该多个聚光用透镜, 该含有多个聚光用透镜之光学系统之各个开口数 各不相同,具备有: 对准装置,以该透镜选择装置所选择之聚光用透镜 所聚光之脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对象 物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使含有多个聚光用透镜之光学 系统之各个开口数大小及改质点的尺寸之相关关 系预先被记忆; 尺寸选择装置,根据含有所选择之聚光用透镜之光 学系统之各个开口数大小,以此大小之开口数所形 成之改质点的尺寸,从该相关关系记忆装置中被选 出; 尺寸显示装置,可由该尺寸选择装置所选择之改质 点的尺寸被显示出来。 81.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,根据脉冲雷射光之功率大小之输入 ,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的功率大小可被 调节; 聚光用透镜,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之 聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉 冲雷射光被聚光; 开口数调节装置,根据开口数之大小的输入,使含 有该聚光用透镜之光学系统之开口数之大小被调 节; 对准装置,使由该聚光用透镜所聚光之脉冲雷射光 之聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及由该开口数调节装置所调节 之开口数之大小之组合,及改质点的尺寸之相关关 系预先被记忆; 尺寸选择装置,可根据输入之脉冲雷射光之功率大 小及该输入之开口数之大小,由这此大小所形成之 改质点的尺寸,从该相关关系记忆装置中被选出; 尺寸显示装置,可由该尺寸选择装置所选择之改质 点的尺寸被显示出来。 82.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,根据脉冲雷射光之功率大小之输入 ,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的功率大小可被 调节; 透镜选择装置,含有使从该雷射光源所射出之脉冲 雷射光之聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以 上,而使脉冲雷射光被聚光用之多个聚光用透镜, 且可选择该多个聚光用透镜, 该含有多个聚光用透镜之光学系统之各个开口数 各不相同,具备有: 对准装置,以该透镜选择装置所选择之聚光用透镜 所聚光之脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对象 物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及由该开口数调节装置所调节 之开口数之大小之组合,与改质点的尺寸之相关关 系预先被记忆; 尺寸选择装置,可根据输入之脉冲雷射光之功率大 小及该输入之开口数之大小,由这此大小所形成之 改质点的尺寸,从该相关关系记忆装置中被选出; 尺寸显示装置,可由该尺寸选择装置所选择之改质 点的尺寸被显示出来。 83.如申请专利范围第78或79项之雷射加工装置,其 中具备有: 影像作成装置,使该尺寸选择装置所选择尺寸之改 质点影像可被作成; 影像显示装置,使该影像作成装置所作成之影像可 被显示。 84.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的 功率大小可被调节; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小与改质点的尺寸之相关关系预 先被记忆; 功率选择装置,可根据改质点的尺寸之输入,此尺 寸可形成之脉冲雷射光之功率大小,从该相关关系 记忆装置中被选出; 该功率调节装置,使雷射光源所射出之脉冲雷射光 的功率大小可被调节成为该功率选择装置所选择 之功率大小。 85.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光用透镜,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之 聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉 冲雷射光被聚光; 开口数调节装置,使含有该聚光用透镜之光学系统 之开口数之大小被调节; 对准装置,使由该聚光用透镜所聚光之脉冲雷射光 之聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使该开口数调节装置所调节之 开口数之大小与改质点的尺寸之相关关系预先被 记忆; 开口数选择装置,可根据改质点的尺寸之输入,使 此尺寸所形成之开口数大小从该相关关系记忆装 置中选择出来; 该开口数调节装置使含有该聚光用透镜之光学系 统之开口数之大小被调节成为该开口数选择装置 所选择之开口数大小。 86.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 透镜选择装置,含有使从该雷射光源所射出之脉冲 雷射光之聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以 上,而使脉冲雷射光被聚光用之多个聚光用透镜, 且可选择该多个聚光用透镜, 该含有多个聚光用透镜之光学系统之各个开口数 各不相同,具备有: 对准装置,以该透镜选择装置所选择之聚光用透镜 所聚光之脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对象 物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使该多个聚光用透镜之之开口 数之大小与改质点的尺寸之相关关系预先被记忆; 开口数选择装置,可根据改质点的尺寸之输入,使 此尺寸所形成之开口数大小从该相关关系记忆装 置中选择出来; 该透镜选择装置使该多个聚光用透镜被选择而成 为该开口数选择装置所选择之开口数大小。 87.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的 功率大小可被调节; 聚光用透镜,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之 聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉 冲雷射光被聚光; 开口数调节装置,使含有该聚光用透镜之光学系统 之开口数之大小被调节; 对准装置,使由该聚光用透镜所聚光之脉冲雷射光 之聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及由该开口数调节装置所调节 之开口数之大小之组,与改质点的尺寸之相关关系 预先被记忆; 组选择装置,可根据改质点的尺寸之输入,使此尺 寸所形成之功率及开口数之大小之组,从该相关关 系记忆装置中被选出, 该功率调节装置及该开口数调节装置,使雷射光源 所射出之脉冲雷射光的功率大小及使含有该聚光 用透镜之光学系统之开口数之大小被调节成,该组 选择装置所选择之功率及开口数。 88.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 功率调节装置,使雷射光源所射出之脉冲雷射光的 功率大小可被调节; 透镜选择装置,含有使从该雷射光源所射出之脉冲 雷射光之聚光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以 上,而使脉冲雷射光被聚光用之多个聚光用透镜, 且可选择该多个聚光用透镜, 该含有多个聚光用透镜之光学系统之各个开口数 各不相同,具备有: 对准装置,以该透镜选择装置所选择之聚光用透镜 所聚光之脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对象 物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 而具备有: 相关关系记忆装置,使该多个聚光用透镜之之开口 数之大小与改质点的尺寸之相关关系预先被记忆; 相关关系记忆装置,使功率调节装置所调节之脉冲 雷射光之功率大小及由该开口数调节装置所调节 之开口数之大小之组,与改质点的尺寸之相关关系 预先被记忆; 组选择装置,可根据改质点的尺寸之输入,使此尺 寸所形成之功率及开口数之大小之组,从该相关关 系记忆装置中被选出, 该功率调节装置及该透镜选择装置,使雷射光源所 射出之脉冲雷射光的功率大小之调节,及该多个聚 光用透镜之选择变成为,由该组选择装置所选择功 率及开口数大小。 89.如申请专利范围第84项之雷射加工装置,其中它 具备有可显示由该功率选择装置所选择之功率大 小的显示装置。 90.如申请专利范围第85或86项之雷射加工装置,其 中它具有显示该开口数选择装置所选择之开口数 大小用之显示装置。 91.如申请专利范围第87或88项之雷射加工装置,其 中它具有显示该组选择装置所选择之功率大小及 开口数大小用之显示装置。 92.如申请专利范围第78至82及84至88项中任一项之 雷射加工装置,其中由沿着该预定切断线使该加工 对象物之该内部中所形成之该改质点而规定改质 区域,该改质区域含有,在该内部中产生裂开之区 域的裂开区域,及该内部中熔融后固化之区域的熔 融处理区域,及在该内部中产生折射率变化之区域 的折射率变化区域之中,至少其中之任何一个。 93.如申请专利范围第83项之雷射加工装置,其中由 沿着该预定切断线使该加工对象物之该内部中所 形成之该改质点而规定改质区域,该改质区域含有 ,在该内部中产生裂开之区域的裂开区域,及该内 部中熔融后固化之区域的熔融处理区域,及在该内 部中产生折射率变化之区域的折射率变化区域之 中,至少其中之任何一个。 94.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序: 第1程序,使脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对 象物之内部,而在该加工对象物上照射脉冲雷射光 ,以吸收多数光子而在前述加工对象物之内部形成 第1改质区域,利用此种第1改质区域,在靠近加工对 象物之脉冲雷射光射入面侧之前述加工对象物表 面隔离所定距离内侧之区域上,来形成第1预定切 断线;以及 第2程序,使脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对 象物之内部,以与在前述加工对象物中之前述第1 程序下的脉冲雷射光不同的功率而照射脉冲雷射, 在与以前述第1程序所形成之前述第1改质区域不 同之区域、且在前述加工对象物之内部中,吸收多 数光子而在形成第2改质区域,利用此种第2改质区 域,在靠近加工对象物之脉冲雷射光射入面侧之前 述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来 形成第2预定切断线。 95.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下列 程序: 第1程序,使脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对 象物之内部,而在该加工对象物上照射脉冲雷射光 ,以吸收多数光子而在前述加工对象物之内部形成 第1改质区域,利用此种第1改质区域,在靠近加工对 象物之脉冲雷射光射入面侧之前述加工对象物表 面隔离所定距离内侧之区域上,来形成第1预定切 断线;以及 第2程序,以与包含聚光脉冲雷射光之聚光用透镜 之光学系统之开口数不同的开口数之光学系统,将 脉冲雷射光之聚光点对准于前述加工对象物之内 部,将脉冲雷射光照射至前述加工对象物,在前述 加工对象物之内部藉由吸收多数光子而在与前述 第1改质区域不同的场所下,形成第2改质区域,利用 此种第2改质区域,在靠近前述加工对象物之脉冲 雷射光射入面侧之前述加工对象物表面隔离所定 距离内侧之区域上,来形成第2预定切断线。 96.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 频率调节装置,它可根据频率之大小之输入値,而 调节使从该雷射光源射出之脉冲雷射光之变化频 率之大小; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 距离演算装置,可根据该输入之频率大小,而演算 相邻之该改质点之间的距离; 距离显示装置,可显示出由该距离演算装置所演算 之距离。 97.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动; 速度调节装置,可根据速度大小之输入値,而调节 由该移动装置使脉冲雷射光之聚光点脉冲雷射光 之聚光点之相对移动速度之大小, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 距离演算装置,可根据该输入之频率大小,而演算 相邻之该改质点之间的距离; 距离显示装置,可显示出由该距离演算装置所演算 之距离。 98.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 频率调节装置,它可根据频率之大小之输入値,而 调节使从该雷射光源射出之脉冲雷射光之变化频 率之大小; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动; 速度调节装置,可根据速度大小之输入値,而调节 由该移动装置使脉冲雷射光之聚光点脉冲雷射光 之聚光点之相对移动速度之大小, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 距离演算装置,可根据该输入之频率大小,而演算 相邻之该改质点之间的距离; 距离显示装置,可显示出由该距离演算装置所演算 之距离。 99.如申请专利范围第96至98项中任一项之雷射加工 装置,其中它具备有: 尺寸记忆装置,使该雷射加工装置所形成之该改质 点的尺寸可事先被记忆;及 影像作成装置,可根据该尺寸记忆装置所记忆之尺 寸,及该距离演算装置所演算之距离,而作成沿着 该预定切断线上形成之多个该改质点的影像;及 影像显示装置,使该影像作成装置所作成之影像可 被显示。 100.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 频率调节装置,它可根据频率之大小之输入値,而 调节使从该雷射光源射出之脉冲雷射光之变化频 率之大小; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动; 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 频率演算装置,可根据相邻之该改质点之间的距离 大小之输入値,为了使相邻之该改质点之间的距离 符合此大小之故,而演算从该雷射光源射出之脉冲 雷射光之变化频率之大小, 该频率调节装置可使从该雷射光源射出之脉冲雷 射光之变化频率之大小被调节而变成,由频率演算 装置所演算出之频率大小。 101.如申请专利范围第100项之雷射加工装置,其中 它具有可显示频率演算装置所演算出之频率大小 的频率显示装置。 102.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动; 速度调节装置,可根据速度大小之输入値,而调节 由该移动装置使脉冲雷射光之聚光点脉冲雷射光 之聚光点之相对移动速度之大小, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 速度演算装置,可根据相邻之该改质点之间的距离 大小之输入値,为了使相邻之该改质点之间的距离 符合此大小之故,而演算由该移动装置而使脉冲雷 射光之聚光点的相对移动速度之大小, 该速度调节装置使由该移动装置而使脉冲雷射光 之聚光点的相对移动速度之大小被所调节成为,与 速度演算装置所演算的相对移动速度之大小相同 。 103.如申请专利范围第97项之雷射加工装置,其中它 具有可显示速度演算装置所演算出之相对移动速 度大小的速度显示装置。 104.一种雷射加工装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 频率调节装置,它可调节使从该雷射光源射出之脉 冲雷射光之变化频率之大小; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 移动装置,沿着该加工对象物之预定切断线使脉冲 雷射光之聚光点被相对地移动; 速度调节装置,可调节由该移动装置使脉冲雷射光 之聚光点脉冲雷射光之聚光点之相对移动速度之 大小, 在该内部上使聚光点被对准,由于1个脉冲之脉冲 雷射光被照射在该加工对象物上,而在该内部形成 1个改质点, 使聚光点被对准到该内部,并且沿着该预定切断线 而使聚光点相对地移动,使多脉冲之脉冲雷射光被 照射在该加工对象物上,而沿着该预定切断线在该 内部上形成多个该改质点, 而具备有: 组合演算装置,可根据相邻之该改质点之间的距离 大小之输入値,为了使相邻之该改质点之间的距离 符合此大小之故,而演算从该雷射光源射出之脉冲 雷射光之变化频率之大小及由该移动装置形成之 脉冲雷射光的聚光点之相对移动速度大小; 该频率调节装置可使从该雷射光源射出之脉冲雷 射光之变化频率之大小被调节而变成,等于由该组 合演算装置所演算出之频率大小, 该速度调节装置使该移动装置形成之脉冲雷射光 之聚光点之相对移动速度之大小可被调节而变成 等于由该组合演算装置所演算出之相对移动速度 大小。 105.如申请专利范围第104项之雷射加工装置,其中 它具有可显示该组合演算装置所演算出之频率大 小及相对移动速度大小的显示装置。 106.如申请专利范围第96至98、100至104项中任一项 之雷射加工装置,其中由沿着该预定切断线使该加 工对象物之该内部中所形成之该改质点而规定了 改质区域,该改质区域含有,在该内部中产生裂开 之区域的裂开区域,及在该内部中熔融后固化之区 域的熔融处理区域,及在该内部中产生折射率变化 之区域的折射率变化区域之中,至少其中之任何一 个。 107.如申请专利范围第99项之雷射加工装置,其中由 沿着该预定切断线使该加工对象物之该内部中所 形成之该改质点而规定了改质区域,该改质区域含 有,在该内部中产生裂开之区域的裂开区域,及在 该内部中熔融后固化之区域的熔融处理区域,及在 该内部中产生折射率变化之区域的折射率变化区 域之中,至少其中之任何一个。 108.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下 列程序:将雷射光之聚光点对准到加工对象物之内 部,而使雷射光被照射在该加工对象物上,以吸收 多数光子而在前述加工对象物之内部形成改质区 域,利用此种改质区域,在靠近加工对象物之雷射 光射入面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离 内侧之区域上,来形成预定切断线;以及 由改变照射在该加工对象物上之雷射光的聚光点 位置,而沿着该射入方向并列地形成多数个前述预 定切断线之程序。 109.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下 列程序:将雷射光之聚光点对准到加工对象物之内 部,而使雷射光被照射在该加工对象物上,在前述 加工对象物之内部形成改质区域,利用此种改质区 域,在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加 工对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成 预定切断线;以及 由改变照射在该加工对象物上之雷射光的聚光点 位置,而沿着该射入方向并列地形成多数个前述预 定切断线之程序。 110.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下 列程序:在雷射光之聚光点上以峰功率密度1108(W/ cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下,使聚光点 对准加工对象物之内部而照射雷射光,在前述加工 对象物之内部形成改质区域,利用此种改质区域, 在靠近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加工 对象物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成预 定切断线,并且 由改变照射在该加工对象物上之雷射光的聚光点 位置,而沿着该射入方向并列地形成多数个前述预 定切断线之程序。 111.如申请专利范围第108至110项中任一项之预定切 断线形成方法,其中该多数个改质区域对于照射在 该加工对象物之雷射光其射入到该加工对象物之 射入面而言,是从远方依照顺序而形成。 112.如申请专利范围第108至110项中任一项之预定切 断线形成方法,其中该改质区域含有,在该内部中 产生裂开之区域的裂开区域,及在该内部中熔融后 固化之区域的熔融处理区域,及在该内部中产生折 射率变化之区域的折射率变化区域之中,至少其中 之任何一个。 113.如申请专利范围第111项之预定切断线形成方法 ,其中该改质区域含有,在该内部中产生裂开之区 域的裂开区域,及在该内部中熔融后固化之区域的 熔融处理区域,及在该内部中产生折射率变化之区 域的折射率变化区域之中,至少其中之任何一个。 114.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下 列程序:使雷射光之聚光点穿过射入面而对准到加 工对象物内部之前述加工对象物之一半厚度位置 以外之位置,且进行雷射光之照射,使该加工对象 物之内部由于多光子之吸收而形成改质区域,利用 此种改质区域,在靠近加工对象物之雷射光射入面 侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区 域上,来形成预定切断线。 115.如申请专利范围第114项之预定切断线形成方法 其中该射入面上形成有电子装置及电极图型之中 的至少一方,照射到该加工对象物之雷射光之聚光 点,在该加工对象物之厚度方向上从该厚度之一半 位置被调节到靠近该射入面之位置。 116.一种预定切断线形成方法,其特征为具备有下 列程序: 第1程序,使脉冲雷射光之聚光点被对准到加工对 象物之内部,而在该加工对象物上照射脉冲雷射光 ,以吸收多数光子而在前述加工对象物之内部形成 第1改质区域,利用此种第1改质区域,在靠近加工对 象物之雷射光射入面侧之前述加工对象物表面隔 离所定距离内侧之区域上,来形成第1预定切断线; 以及 第2程序,在该第1程序之后,使雷射光之聚光点被对 准到前述加工对象物之厚度方向上之与在前述第1 程序中之雷射光之聚光位置不同位置之前述加工 对象物之内部,将雷射光照射至前述加工对象物, 使该加工对象物之内部由于吸收多数光子,而将与 第1改质区域不同之第2改质区域构成与前述第1改 质区域成立体交叉状,利用此种第2改质区域,在靠 近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加工对象 物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成第2预 定切断线。 117.如申请专利范围第116项之预定切断线形成方法 ,其中该其他之改质区域比该改质区域在该加工对 象物之雷射光之射入面侧较容易形成。 118.如申请专利范围第114至117项中任一项之预定切 断线形成方法,其中该雷射光照射在该加工对象物 之条件为,在雷射光之聚光点上以峰功率密度1108( W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下时,在该内部可形 成含有裂开区域之该改质区域。 119.如申请专利范围第114至117项中任一项之预定切 断线形成方法,其中该雷射光照射在该加工对象物 之条件为,在雷射光之聚光点上以峰功率密度1108( W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下时,在该内部可形 成含有熔融处理区域之该改质区域。 120.如申请专利范围第114至117项中任一项之预定切 断线形成方法,其中该雷射光照射在该加工对象物 之条件为,在雷射光之聚光点上以峰功率密度1108( W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下时,在该内部可形 成含有折射率产生变化层的折射率变化层之该改 质区域。 121.如申请专利范围第114至117项中任一项之预定切 断线形成方法,其中照射在该加工对象物上的雷射 光之聚光点之该厚度方向上的位置调节含有, 第1演算程序,它使照射在该加工对象物上的雷射 光之聚光点之该厚度方向上的所须位置被设定成 该射入面到该内部为止之距离,使该距离除以该加 工对象物对照射在该加工对象物上的雷射光之折 射率,而演算出在该厚度方向上该加工对象物之相 对移动量之资料; 第2演算程序,照射在该加工对象物上的雷射光之 聚光点位于该射入面之须要,而演算出在该厚度方 向上该加工对象物之另外相对移动量之资料; 第1移动程序,根据该另外相对移动量之资料,使该 加工对象物在该厚度方向上进行相对地移动; 第2移动程序,在该移动程序之后,根据该相对的移 动量之资料,使该加工对象物在该厚度方向上进行 相对地移动。 122.一种预定切断线形成装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光装置,使该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 第1移动装置,为将以前述聚光装置所聚光之脉冲 雷射光之聚光点、对于加工对象物而相对地移动; 为了使该聚光装置所聚光之脉冲雷射光的聚光点 被对准该加工对象物之内部之所要位置,而具有使 该加工对象物在该厚度方向上相对的移动量之资 料, 记忆装置,它被用来记忆,使该所要位置被设定为, 从该雷射光源射出之脉冲雷射光射入到该加工对 象物上之射入面到该内部为止之距离,使该距离除 以该加工对象物对射出在该加工对象物上的雷射 光之折射率,所获得之该相对的移动量之资料; 第2移动装置,根据该记忆装置所记忆之该相对的 移动量之资料,及由该演算装置所演算之另外的相 对的移动量之资料,而使该加工对象物在该厚度方 向上进行相对地移动, 将前述第1及第2移动装置依据记忆在前述记忆装 置中之资料、以及由前述演算装置所演算之资料 来进行控制,利用脉冲雷射光照射而在前述加工对 象物内部形成改质区域,利用此种改质区域,在靠 近加工对象物之雷射光射入面侧之前述加工对象 物表面隔离所定距离内侧之区域上,来形成预定切 断线。 123.一种预定切断线形成装置,其特征为具备有: 雷射光源,其可射出脉冲宽度为1s以下之脉冲雷 射光; 聚光装置,从该雷射光源所射出之脉冲雷射光之聚 光点的峰功率密度成为在1108(W/cm2)以上,而使脉冲 雷射光被聚光; 对准装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲雷射光之 聚光点被对准到加工对象物之内部; 聚光位置调节装置,使由该聚光装置所聚光之脉冲 雷射光之聚光点的位置,在该加工对象物之厚度范 围内被调节; 移动装置,对于加工对象物,由该聚光装置使被聚 光之脉冲雷射光的聚光点被相对地移动, 控制前述聚光装置、前述对准装置、前述聚光位 置调节装置及前述移动装置,利用脉冲雷射光照射 而在前述加工对象物内部形成改质区域,利用此种 改质区域,在靠近加工对象物之脉冲雷射光射入面 侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之区 域上,来形成预定切断线。 124.一种加工对象物切断方法,其特征在于,将聚光 点对准于加工对象物之内部而照射雷射光,于前述 加工对象物之内部利用吸收多数光子而形成改质 区域,藉此切断前述加工对象物。 125.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 124项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之脉冲雷射光 射入面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内 侧之区域。 126.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使聚光 点对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密 度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下 而照射雷射光,在前述加工对象物之内部形成含有 裂开区域之改质区域,藉此以切断前述加工对象物 。 127.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 126项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 128.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使聚光 点对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密 度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下 而照射雷射光,在前述加工对象物之内部形成含有 融熔处理区域之改质区域,藉此以切断前述加工对 象物。 129.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 128项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 130.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使聚光 点对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密 度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下 而照射雷射光,在前述加工对象物之内部形成包含 有折射率已变化之区域之折射率变化区域之改质 区域,藉此以切断前述加工对象物。 131.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 130项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 132.一种半导体材料切断方法,其特征在于,使聚光 点对准半导体材料之内部,在聚光点上以峰功率密 度1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下 而照射雷射光,在前述半导体材料之内部形成改质 区域,藉此以切断前述半导体材料。 133.一种半导体材料切断方法,于申请专利范围第 132项之半导体材料切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近半导体材料之雷射光射入 面侧之前述半导体材料表面隔离所定距离内侧之 区域。 134.一种压电材料切断方法,其特征在于,使聚光点 对准压电材料之内部,在聚光点上以峰功率密度11 08(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下而照 射雷射光,在前述压电材料之内部形成改质区域, 藉此以切断前述压电材料。 135.一种压电材料切断方法,于申请专利范围第134 项之压电材料切断方法中,其特征在于,将前述改 质区域形成在,靠近压电材料之雷射光射入面侧之 前述压电材料表面隔离所定距离内侧之区域。 136.一种半导体材料切断方法,其特征在于,使聚光 点对准半导体材料之内部,而照射雷射光,在前述 半导体材料之内部仅形成融熔处理区域,藉此来切 断前述半导体材料。 137.一种半导体材料切断方法,于申请专利范围第 136项之半导体材料切断方法中,其特征在于,将前 述融熔处理区域形成在,靠近半导体材料之雷射光 射入面侧之前述半导体材料表面隔离所定距离内 侧之区域。 138.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使被形 成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚光点被 对准加工对象物之内部,而且沿着显示有雷射光之 椭圆偏光的椭圆长轴,藉由将雷射光照射至前述加 工对象物而在前述加工对象物之内部形成利用吸 收多数光子之改质区域,藉此来切断前述半导体材 料。 139.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 138项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 140.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使被形 成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚光点被 对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密度 1x108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下,将 雷射光沿着显示有雷射光之椭圆偏光的椭圆长轴 移动照射,而于前述加工对象物之内部形成包含有 裂开区域之改质区域,藉此来切断前述加工对象物 。 141.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 140项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 142.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使被形 成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚光点被 对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密度 1x108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下,将 雷射光沿着显示有雷射光之椭圆偏光的椭圆长轴 移动照射,而于前述加工对象物之内部形成包含有 融熔处理区域之改质区域,藉此来切断前述加工对 象物。 143.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 142项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 144.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使被形 成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚光点被 对准加工对象物之内部,在聚光点上以峰功率密度 1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下之条件下,将 雷射光沿着显示有雷射光之椭圆偏光的椭圆长轴 移动照射,而于前述加工对象物之内部形成包含有 折射率已变化之区域之改质区域,藉此来切断前述 加工对象物。 145.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 144项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 146.一种加工对象物切断方法,其特征在于,使被形 成椭圆率为1以外之椭圆偏光的雷射光之聚光点被 对准加工对象物之内部,将雷射光沿着显示有雷射 光之椭圆偏光的椭圆长轴移动照射,藉由形成改质 区域以切断前述加工对象物。 147.一种加工对象物切断方法,于申请专利范围第 146项之加工对象物切断方法中,其特征在于,将前 述改质区域形成在,靠近加工对象物之雷射光射入 面侧之前述加工对象物表面隔离所定距离内侧之 区域。 148.一种加工对象物切断方法,其特征在于,将聚光 点对准加工对象物之内部而照射雷射光,于前述加 工对象物之内部形成改质区域,将前述改质区域作 为起点而切断前述加工对象物。 149.一种加工对象物切断方法,其特征在于,将聚光 点对准加工对象物之内部而照射雷射光,于前述加 工对象物之内部形成改质区域,将前述改质区域作 为起点而使裂开至前述加工对象物表面以切断前 述加工对象物。 150.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:固定程序,为将加工对象物固定至表面具有黏 着性之薄片上;形成程序,为将聚光点对准加工对 象物之内部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之 切断预定线而在前述加工对象物之内部形成改质 区域。 151.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:固定程序,为将加工对象物固定至表面具有黏 着性之薄片上;形成程序,为将聚光点对准加工对 象物之内部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之 切断预定线而在前述加工对象物之内部形成作为 改质区域之预定切断部;切断程序,在将前述加工 对象物固定在薄片之状态下,将前加工对象物沿着 前述预定切断部而进行切断。 152.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:固定程序,为将加工对象物固定至表面具有黏 着性之薄片上;形成程序,为将聚光点对准加工对 象物之内部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之 切断预定线而在前述加工对象物之内部形成改质 区域;切断程序,为在形成作为改质区域之预定切 断部后,以按压构件经由前述薄板而将应力施加于 前述加工对象物,而切断前述加工对象物。 153.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:形成程序,为将聚光点对准加工对象物之内部 而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定线 而在前述加工对象物之内部形成改质区域;分离程 序,为在形成作为改质区域之预定切断部后,将应 力施加于前述加工对象物,始将前述加工对象物内 部之改质点作为起点之裂痕成长至前述加工对象 物之表面,而分离前述加工对象物。 154.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:载至程序,为将加工对象物载置于雷射加工装 置之载置台上;移动程序,以将雷射光之聚光点位 于前述加工对象物之表面上而使前述载置台移动 后,以将雷射光之聚光点位于前述加工对象物之内 部而使前述载置台以所定量移动;形成程序,为将 聚光点对准加工对象物之内部而照射雷射光,沿着 前述加工对象物之切断预定线而在前述加工对象 物之内部形成作为改质区域之预定切断部。 155.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:载至程序,为将加工对象物载置于雷射加工装 置之载置台上;移动程序,以由前述雷射加工装置 之观察用光源所射出之照明光照射前述加工对象 物之表面,将此种反射光藉由前述雷射加工装置拍 摄而取得拍摄资料,依据前述拍摄资料,用以使由 前述观察用光源所射出之照明光之焦点位于前述 加工对象物之表面上而移动前述载置台后,以将雷 射光之聚光点位于前述加工对象物之内部而使前 述载置台以所定量移动;形成程序,为将聚光点对 准加工对象物之内部而照射雷射光,沿着前述加工 对象物之切断预定线而在前述加工对象物之内部 形成改质区域。 156.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:切断程序,为将聚光点对准加工对象物之内部 而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定线 而在前述加工对象物之内部形成改质区域,而切断 前述加工对象物之程序:分离程序,藉由吸附装置 而吸附已切断之加工对象物片,而使分离前述加工 对象物片。 157.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:决定程序,为依据加工对象物之厚度及折射率, 于前述加工对象物之厚度方向上决定雷射光之聚 光点之位置;形成程序,为在前述加工对象物之厚 度方向上以使雷射光之聚光点位置成为前述所决 定之位置,而将聚光点对准于前述加工对象物之内 部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之预定切断 线而在前述加工对象物之内部形成改质区域。 158.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:形成程序,为一面观察加工对象物之表面,一面 将聚光点对准于前述加工对象物之内部而照射雷 射光,沿着前述加工对象物之预定切断线而仅在前 述加工对象物之内部形成改质区域。 159.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 固定程序,为将加工对象物固定在表面为具有黏着 性之薄板上: 形成程序,系将聚光点对准于前述加工对象物之内 部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定 线而在前述加工对象物之内部藉由改质区域而形 成切断预定部。 160.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 固定程序,为将加工对象物固定在表面为具有黏着 性之薄板上: 形成程序,系将聚光点对准于前述加工对象物之内 部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定 线而在前述加工对象物之内部藉由改质区域而形 成切断预定部; 切断程序,系在将前述加工对象物固定在薄板上之 状态下,将前述加工对象物沿着前述切断预定部进 行切断。 161.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 固定程序,为将加工对象物固定在表面为具有黏着 性之薄板上; 形成程序,系将聚光点对准于前述加工对象物之内 部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定 线而在前述加工对象物之内部藉由改质区域而形 成切断预定部; 切断程序,在将前述切断预定部作为改质区域之形 成后,以按压构件经由前述薄板而将应力施加至前 述加工对象物上,以切断前述加工对象物。 162.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 形成程序,系将聚光点对准于前述加工对象物之内 部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定 线而在前述加工对象物之内部形成作为切断预定 部之改质区域; 分离程序,在将前述切断预定部作为改质区域之形 成后,将应力施加至前述加工对象物上,将以前述 加工对象物内部之改质区域作为起点的裂痕成长 至前述加工对象物之表面为止、而分离前述加工 对象物。 163.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 载置程序,系将加工对象物载置于雷射加工装置之 载置台上; 移动程序,系以使雷射光之聚光点位于前述加工对 象物之表面上而使前述载置台移动后,使前述载置 台移动所定量而使雷射光之聚光点位于前述加工 对象物之内部; 形成程序,将聚光点对准于前述加工对象物之内部 而照射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定线 而在前述加工对象物之内部形成改质区域。 164.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 载置程序,系将加工对象物载置于雷射加工装置之 载置台上; 移动程序,系以由前述雷射加工装置之观察用光源 所射出之至明光而照射前述加工对象物之表面,将 此种反射光藉由前述雷射加工装置之拍摄装置而 拍摄、拍摄资料,依据前述拍摄资料,用以使由前 述观察用光源所射出之照明光之焦点位于前述加 工对象物之表面上而移动前述载置台后,以将雷射 光之聚光点位于前述加工对象物之内部而使前述 载置台以所定量移动; 形成程序,为将聚光点对准加工对象物之内部而照 射雷射光,沿着前述加工对象物之切断预定线而在 前述加工对象物之内部形成改质区域。 165一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程序 : 系将聚光点对准于加工对象物之内部而照射雷射 光,沿着前述加工对象物之切断预定线而在前述加 工对象物之内部形成改质区域,而切断前述加工对 象物; 分离程序,藉由吸附装置而吸附已切断之加工对象 物片,而使分离前述加工对象物片。 166.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序: 决定程序,为依据加工对象物之厚度及折射率,于 前述加工对象物之厚度方向上决定雷射光之聚光 点之位置; 形成程序,为在前述加工对象物之厚度方向上,以 使雷射光之聚光点位置成为前述所决定之位置,而 将聚光点对准于前述加工对象物之内部而照射雷 射光,沿着前述加工对象物之预定切断线而在前述 加工对象物之内部形成改质区域。 167.一种雷射加工方法,其特征在于具备有下列程 序:形成程序,为一面观察加工对象物之表面,一面 将聚光点对准于前述加工对象物之内部而照射雷 射光,沿着前述加工对象物之预定切断线而仅在前 述加工对象物之内部形成改质区域。 168.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准晶圆 状的加工对象物之内部而照射雷射光,以在前述加 工对象物的内部形成依多光子吸收所产生的改质 区域,依此改质区域,而沿着前述加工对象物的预 定切断线以在离前述加工对象物之雷射光入射面 所定距离内侧,形成作为切断之起点的区域,以此 区域作为起点使朝向前述加工对象物的厚度方向 产生破损。 169.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准晶圆 状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰率密度为 1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的条件照射 雷射光,在前述加工对象物的内部形成包含裂开区 域的改质区域,依此改质区域,沿着前述加工对象 物的预定切断线以在离前述加工对象物的雷射光 入射面所定距离内侧,形成作为切断之起点的区域 ,以此区域作为起点使朝向前述加工对象物的厚度 方向产生破损。 170.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准晶圆 状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰率密度为 1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的条件照射 雷射光,在前述加工对象物的内部形成包含融熔处 理区域的改质区域,依此改质区域,沿着前述加工 对象物的预定切断线以在离前述加工对象物的雷 射光入射面所定距离内侧,形成作为切断之起点的 区域,以此区域作为起点使朝向前述加工对象物的 厚度方向产生破损。 171.一种加工对象物切断方法,系使聚光点对准晶 圆状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰率密度 为1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的条件下 照射雷射光,在前述加工对象物的内部形成包含折 射率既变化的区域之折射率变化区域的改质区域, 依此改质区域,沿着前述加工对象物的预定切断线 以在离前述加工对象物的雷射光入射面所定距离 内侧,形成作为切断之起点的区域,以此区域为起 点而使朝向前述加工对象物的厚度方向产生破损 。 172.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中由雷射光源所射出的前述雷射 光系包含脉冲雷射光。 173.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中使聚光点对准前述加工对象物 之内部而照射雷射光,系指将由一个雷射光源所射 出之雷射光进行聚光,将聚光点对准前述加工对象 物之内部而照射雷射光。 174.如申请专利范围第172项之加工对象物切断方法 ,其中使聚光点对准前述加工对象物之内部而照射 雷射光,系指将由一个雷射光源所射出之雷射光进 行聚光,将聚光点对准前述加工对象物之内部而照 射雷射光。 175.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中使聚光点对准前述加工对象物 之内部而照射雷射光,系指使复数个雷射光源所射 出之各雷射光配合聚光点而自不同方向照射前述 加工对象物的内部。 176.如申请专利范围第172项之加工对象物切断方法 ,其中使聚光点对准前述加工对象物之内部而照射 雷射光,系指使复数个雷射光源所射出之各雷射光 配合聚光点而自不同方向照射前述加工对象物的 内部。 177.如申请专利范围第175项之加工对象物切断方法 ,其中从前述复数个雷射光源所射出之各雷射光系 由前述加工对象物的表面入射。 178.如申请专利范围第175项之加工对象物切断方法 ,其中前述复数个雷射光源系包含有将由前述加工 对象物的表面入射的雷射光予以射出的雷射光源 、和将由前述加工对象物的里面入射的雷射光予 以射出的雷射光源。 179.如申请专利范围第176至178项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述复数个雷射光源系包含有 雷射光源为沿着前述预定切断线作阵列状配置的 光源部。 180.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述改质区域为,相对于与前 述加工对象物内部对准之雷射光的聚光点,使前述 加工对象物作相对移动而被形成。 181.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述加工对象物系包含玻璃。 182.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述加工对象物系包含压电材 料。 183.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述加工对象物系包含半导体 材料。 184.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述加工对象物为具有可使照 射之雷射光透过的性质之材料。 185.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中前述加工对象物的表面形成有 电子装置或电极图形。 186.如申请专利范围第168至171项中任一项之加工对 象物切断方法,其中经由对前述加工对象物施加力 量,且以成为前述切断起点的区域作为起点而朝前 述加工对象物之厚度方向产生破损以沿着前述预 定切断线而将前述加工对象物作切断。 187.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准由半 导体材料所成的晶圆状之加工对象物之内部,且以 聚光点的峰率密度为1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1 s以下的条件照射雷射光,以在前述加工对象物 的内部形成改质区域,依此改质区域而沿着前述加 工对象物的预定切断线,在离前述加工对象物的雷 射光入射面所定距离内侧,形成作为切断之起点的 区域,以此区域作为起点而使朝向前述加工对象物 的厚度方向产生破损。 188.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准由压 电材料所成的晶圆状之加工对象物之内部,且以聚 光点的峰率密度为1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1 s以下的条件照射雷射光,以在前述加工对象物的 内部形成改质区域,依此改质区域,沿着前述加工 对象物之预定切断线,在离前述加工对象物的雷射 光入射面所定距离内侧,形成作为切断之起点的区 域,以此区域为起点而使朝向前述加工对象物的厚 度方向产生破损。 189.如申请专利范围第168、171、187、188项中任一项 之加工对象物切断方法,其中前述加工对象物之表 面形成有复数个电路部, 使雷射光的聚光点对准于,与形成在前述复数个电 路部当中之邻接的电路部间之间隙面对之前述加 工对象物的内部。 190.如申请专利范围第189项之加工对象物切断方法 ,其中雷射光系以不对前述复数个电路部照射雷射 光的角度聚光。 191.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准由半 导体材料所成的晶圆状之加工对象物之内部而照 射雷射光,以在前述加工对象物的内部形成由单结 晶构造变换成非晶质构造之区域、由单结晶构造 变换成多结晶构造之区域、或由单结晶构造变化 成属包含有非晶质构造及多结晶构造的构造之区 域的融熔处理区域,依此融熔处理区域,沿着前述 加工对象物的预定切断线而在离前述加工对象物 的雷射光入射面所定距离内侧,形成作为切断之起 点的区域,以此区域为起点而使朝向前述加工对象 物的厚度方向产生破损。 192.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准晶圆 状之加工对象物之内部而照射雷射光,沿着前述加 工对象物之预定切断线,而在前述加工对象物之内 部中沿着前述加工对象物之雷射光入射面的方向, 形成依多光子吸收的改质区域,以此改质区域为起 点而朝前述加工对象物之厚度方向产生破损以将 前述加工对象物作切断。 193.如申请专利范围第192项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面所定 距离内侧。 194.一种加工对象物切断方法,使聚光点对准晶圆 状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰率密度为 1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的条件下照 射雷射光,沿着前述加工对象物之预定切断线而在 前述加工对象物之内部沿着前述加工对象物之雷 射光入射面的方向,形成包含有裂开区域的改质区 域,以此改质区域为起点而朝前述加工对象物之厚 度方向产生破损以将前述加工对象物作切断。 195.如申请专利范围第194项之加工对象物切断方法 ,其中将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面 所定距离内侧。 196.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准晶圆状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰 率密度为1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的 条件照射雷射光,沿着前述加工对象物之预定切断 线而在前述加工对象物之内部沿着前述加工对象 物之雷射光入射面的方向,形成包含有融熔处理区 域的改质区域,以此改质区域为起点而朝前述加工 对象物之厚度方向产生破损以将前述加工对象物 作切断。 197.如申请专利范围第196项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面所定 距离内侧。 198.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准晶圆状的加工对象物之内部,且以聚光点的峰 率密度为1108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1s以下的 条件下照射雷射光,沿着前述加工对象物之预定切 断线而在前述加工对象物之内部沿着前述加工对 象物的雷射光入射面的方向,形成包含有折射率既 变化的折射率变化区域之改质区域,以此改质区域 为起点而朝向前述加工对象物的厚度方向产生破 损而将前述加工对象物作切断。 199.如申请专利范围第198项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面所定 距离内侧。 200.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准由半导体材料所成的晶圆状之加工对象物之 内部,且以聚光点的峰率密度为1108(W/cm2)以上且脉 冲宽度为1s以下的条件照射雷射光,沿着前述加 工对象物的预定切断线而在前述加工对象物之内 部沿着前述加工对象物之雷射光入射面的方向形 成改质区域,以此改质区域为起点而朝前述加工对 象物之厚度方向产生破损以将前述加工对象物作 切断。 201.如申请专利范围第200项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面所定 距离内侧。 202.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准由压电材料所成的晶圆状之加工对象物之内 部,且以聚光点的峰率密度为1108(W/cm2)以上且脉冲 宽度为1s以下的条件下照射雷射光,沿着前述加 工对象物之预定切断线而在前述加工对象物之内 部沿着前述加工对象物的雷射光入射面方向形成 改质区域,以此改质区域为起点而朝前述加工对象 物的厚度方向产生破损以将前述加工对象物切断 。 203.如申请专利范围第202项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述改质区域形成在离前述雷射光入射面所定 距离内侧。 204.一种加工对象物切断方法,其特征为,使聚光点 对准由半导体材料所成的晶圆状之加工对象物之 内部而照射雷射光,沿着前述加工对象物之预定切 断线而在前述加工对象物之内部中沿着前述加工 对象物之雷射光入射面的方向,经由形成从单结晶 构造变化为非晶质构造的区域、从单结晶构造变 化为多结晶构造的区域、或从单结晶构造变化为 包含有非晶质构造及多结晶构造的构造之融熔处 理区域,而以此融熔处理区域为起点朝前述加工对 象物之厚度方向产生破损以将前述加工对象物作 切断。 205.如申请专利范围第204项之加工对象物切断方法 ,其中 将前述融熔处理区域形成在离前述雷射光入射面 所定距离内侧。 206.如申请专利范围第205项之加工对象物切断方法 ,其中经由对前述加工对象物施加力量,而使成为 前述切断起点的区域作为起点朝前述加工对象物 之厚度方向产生破损以沿着前述预定切断线而将 前述加工对象物作切断。 图式简单说明: 第1图为显示以本实施形态相关之雷射加工方法, 进行雷射加工中之加工对象物的平面图; 第2图为第1图所示之加工对象物沿II-II线的剖面图 ; 第3图为显示以本实施形态相关之雷射加工方法, 进行雷射加工之后的加工对象物之平面图; 第4图为第3图所示之加工对象物沿IV-IV线的剖面图 ; 第5图为第3图所示之加工对象物沿V-V线的剖面图; 第6图为显示以本实施形态相关之雷射加工方法进 行切断后的加工对象物之平面图; 第7图为显示本实施形态相关之雷射加工方法中, 电场强度与裂开之大小的关系曲线图; 第8图为本实施形态相关之雷射加工方法之第1工 程中,加工对象物之剖面图; 第9图为本实施形态相关之雷射加工方法之第2工 程中,加工对象物之剖面图; 第10图是本实施形态相关之雷射加工方法之第3工 程中,加工对象物之剖面图; 第11图为本实施形态相关之雷射加工方法之第4工 程中,加工对象物之剖面图; 第12图为显示以本实施形态相关之雷射加工方法 所切断之矽晶圆之局部的剖面照片显示之图; 第13图为显示本实施形态相关之雷射加工方法中, 雷射光之波长与矽基板之内部的透过率之关系曲 线图; 第14图是本实施形态之第1例相关之雷射加工方法 中所使用的雷射加工装置之概略图; 第15图是用来说明本实施形态之第1例相关之雷射 加工方法之流程图; 第16图是说明以本实施形态之第1例相关之雷射加 工方法可进行切断之形态用之加工对象物之平面 图; 第17图是关于雷射光源为多数个之时,用来说明本 实施形态之第1例相关之雷射加工方法之模式图; 第18图是关于雷射光源为多数个之时,用来说明本 实施形态之第1例相关之其他雷射加工方法之模式 图; 第19图是本实施形态之第2例中,显示晶圆片在被夹 持状态之压电元件晶圆之概略平面图; 第20图是本实施形态之第2例中,显示晶圆片在被夹 持状态之压电元件晶圆之概略剖面图; 第21图是说明本实施形态之第2例之切断方法之流 程图; 第22图是本实施形态之第2例之切断方法中,被雷射 光照射之光透过性材料之剖面图; 第23图是本实施形态之第2例之切断方法中,被雷射 光照射之光透过性材料之平面图; 第24图是第23图所示之光透过性材料之沿着XXIV-XXIV 线之剖面图; 第25图是第23图所示之光透过性材料之沿着XXV-XXV 线之剖面图; 第26图是集光点之移动速度在延迟之情况下,如第 23图所示之光透过性材料之沿着XXV-XXV线之剖面图; 第27图是集光点之移动速度在更延迟之情况下,如 第23图所示之光透过性材料之沿着XXV-XXV线之剖面 图; 第28图为显示本实施形态之第2例相关之雷射加工 方法之第1工程之压电元件晶圆之剖面图; 第29图为显示本实施形态之第2例相关之雷射加工 方法之第2工程之压电元件晶圆之剖面图; 第30图为显示本实施形态之第2例相关之雷射加工 方法之第3工程之压电元件晶圆之剖面图; 第31图为显示本实施形态之第2例相关之雷射加工 方法之第4工程之压电元件晶圆之剖面图; 第32图为显示本实施形态之第2例相关之雷射加工 方法之第5工程之压电元件晶圆之剖面图; 第33图为直线偏光之脉冲雷射光在照射时,内部形 成裂开领域之样品的平面照片显示之图; 第34图为圆偏光之脉冲雷射光在照射时,内部形成 裂开领域之样品的平面照片显示之图; 第35图是第33图所示之样品之沿着XXXV-XXXV线之剖面 图; 第36图是第34图所示之样品之沿着XXXVI-XXXVI线之剖 面图; 第37图为以本实施形态之第3例相关之雷射加工方 法在沿着形成有裂开领域之加工对象物之预定切 断线上之部份的平面图; 第38图是以比较用之雷射加工方法在沿着形成有 裂开领域之加工对象物之预定切断线上之部份的 平面图; 第39图是显示本实施形态之第3例相关之形成为椭 圆偏光的雷射光及其所形成之裂开领域之图; 第40图是本实施形态之第3例相关之雷射加工装置 之概略构成图; 第41图是本实施形态之第3例相关之椭圆率调节部 所含有之1/4波长板之立体图; 第42图是本实施形态之第3例相关之90回转调节部 所含有之1/2波长板之立体图; 第43图是说明本实施形态之第3例相关之雷射加工 方法用之流程图; 第44图是以本实施形态之第3例相关之雷射加工方 法中具有椭圆偏光的雷射光进行照射后之矽晶圆 之平面图; 第45图是以本实施形态之第3例相关之雷射加工方 法中具有直线偏光的雷射光进行照射后之矽晶圆 之平面图; 第46图是在第44图所示之矽晶圆上,以本实施形态 之第3例相关之雷射加工方法中具有椭圆偏光的雷 射光进行照射之矽晶圆之平面图; 第47图是在第45图所示之矽晶圆上,以本实施形态 之第3例相关之雷射加工方法中具有直线偏光的雷 射光进行照射后之矽晶圆之平面图; 第48图是本实施形态之第4例相关之雷射加工装置 之概略构成图; 第49图是在第44图所示之矽晶圆上,以本实施形态 之第4例相关之雷射加工方法中具有椭圆偏光的雷 射光进行照射之矽晶圆之平面图; 第50图是使用本实施形态之第5例相关之雷射加工 方法,形成比较大之裂开点之情况时之加工对象物 之平面图; 第51图是沿着第50图所示之预定切断线上之LI-LI的 切断后之剖面图; 第52图是沿着第50图所示之预定切断线上之LII-LII 的切断后之剖面图; 第53图是沿着第50图所示之预定切断线上之LIII-LIII 的切断后之剖面图; 第54图是沿着第50图所示之预定切断线上之LIV-LIV 的切断后之剖面图; 第55图是沿着第50图所示使加工对象物沿着预定切 断线被切断后之剖面图; 第56图是使用本实施形态之第5例相关之雷射加工 方法,形成比较小之裂开点之情况时沿着预定切断 线之加工对象物的剖面图; 第57图是沿着第56图所示使加工对象物沿着预定切 断线被切断后之平面图; 第58图是使用预定之开口数的集光用透镜,使脉冲 雷射光在加工对象物之内部集光之加工对象物剖 面图; 第59图是第58图所示由于雷射光照射,而含有由多 光子吸收所造成之裂开点之加工对象物剖面图; 第60图是第58图所示使用更大之开口数的集光用透 镜之情况时,加工对象物之剖面图; 第61图是第60图所示由于雷射光照射,而含有由多 光子吸收所造成之裂开点之加工对象物剖面图; 第62图是第58图所示之例中使用更小之功率的脉冲 雷射光之情况时,加工对象物之剖面图; 第63图是第62图所示由于雷射光照射,而含有由多 光子吸收所造成之裂开点之加工对象物剖面图; 第64图是第60图所示之例中使用更小之功率的脉冲 雷射光之情况时,加工对象物之剖面图; 第65图是第64图所示由于雷射光照射,而含有由多 光子吸收所造成之裂开点之加工对象物剖面图; 第66图是沿着与第57图所示之预定切断线成垂直相 交之LXVI-LXVI线切断之剖面图; 第67图是本实施形态之第5例相关之雷射加工装置 之概略构成图; 第68图是具备有本实施形态之第5例相关之雷射加 工装置之全体控制部之一例之局部的方块图; 第69图是显示本实施形态之第5例相关之雷射加工 装置之全体控制部所含有之相关关系记忆部之表 的一例之图; 第70图是显示本实施形态之第5例相关之雷射加工 装置之全体控制部所含有之相关关系记忆部之表 的另外一例之图; 第71图是显示本实施形态之第5例相关之雷射加工 装置之全体控制部所含有之相关关系记忆部之表 的更另外一例之图; 第72图是本实施形态之第6例相关之雷射加工装置 之概略构成图; 第73图是显示未配置扩光器之时的集光用透镜,而 使雷射光被进行集光之图; 第74图是显示配置有扩光器之时的集光用透镜,而 使雷射光被进行集光之图; 第75图是本实施形态之第7例相关之雷射加工装置 之概略构成图; 第76图是显示未配置有彩虹光圈时的集光用透镜, 而使雷射光被进行集光之图; 第77图是显示配置有彩虹光圈时的集光用透镜,而 使雷射光被进行集光之图; 第78图是具备有本实施形态之变形例之全体控制 部之一例的方块图; 第79图是具备有本实施形态之变形例之全体控制 部之另外一例的方块图; 第80图是具备有本实施形态之变形例之全体控制 部之更另外一例的方块图; 第81图是使用本实施形态之第8例相关之雷射加工 方法,形成裂开领域之情况时沿着加工对象物之预 定切断线之部份之一例的平面图; 第82图是使用本实施形态之第8例相关之雷射加工 方法,形成裂开领域之情况时沿着加工对象物之预 定切断线之部份之另外一例的剖面图; 第83图是使用本实施形态之第8例相关之雷射加工 方法,形成裂开领域之情况时沿着加工对象物之预 定切断线之部份之更另外一例的剖面图; 第84图是本实施形态之第8例相关之雷射加工装置 之光源上所具有之Q开关雷射之概略构成图; 第85图是本实施形态之第8例相关之雷射加工装置 之全体控制部之一例的局部方块图; 第86图是本实施形态之第8例相关之雷射加工装置 之全体控制部之另外一例的局部方块图; 第87图是本实施形态之第8例相关之雷射加工装置 之全体控制部之更另外一例的局部方块图; 第88图是本实施形态之第8例相关之雷射加工装置 之全体控制部之更另外一例的方块图; 第89图是使用本实施形态之第9例相关之雷射加工 方法,形成裂开领域之情况时沿着加工对象物之预 定切断线之部份之一例的立体图; 第90图是形成有从第89图中所示之裂开领域延伸之 裂开时,加工对象物之立体图; 第91图是使用本实施形态之第9例相关之雷射加工 方法,形成裂开领域之情况时沿着加工对象物之预 定切断线之部份之另外一例的立体图; 第92图是使用本实施形态之第9例相关之雷射加工 方法,于其加工对象物之内部形成裂开领域之情况 时,沿着加工对象物之预定切断线之部份之更另外 一例的立体图; 第93图是显示雷射光之集光点位于加工对象物之 表面的状态之图; 第94图是显示雷射光之集光点位于加工对象物之 内部的状态之图; 第95图是用来说明本实施形态之第9例相关之雷射 加工方法之流程图; 第96图是使用本实施形态之第10例相关之雷射加工 方法,于其加工对象物之内部形成裂开领域之情况 时,沿着加工对象物之预定切断线之部份之一例的 立体图; 第97图是第96图中所示加工对象物之部分剖面图; 第98图是使用本实施形态之第10例相关之雷射加工 方法,于其加工对象物之内部形成裂开领域之情况 时,沿着加工对象物之预定切断线之部份之另外一 例的立体图; 第99图是第98图中所示加工对象物之部分剖面图; 第100图是使用本实施形态之第10例相关之雷射加 工方法,于其加工对象物之内部形成裂开领域之情 况时,沿着加工对象物之预定切断线之部份之更另 外一例的立体图。 |
