| 发明名称 | 半导体气体的净化方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是要提供一种用于净化含有杂质的气体从而生产出超高纯度气体的方法，该方法包括下述步骤：a)使含有杂质的液化气体通过第一吸收装置以去除其液相中的杂质，从而产生初次净化流体；b)使这初次净化流体通过蒸发装置以去除其中的杂质，从而产生二次净化气体；和c)使二次净化气体通过第二吸收装置以去除其汽相中的杂质，从而生产出超高纯气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1243596C | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN01143542.9 | 申请日期 | 2001.12.12 |
| 申请人 | 普莱克斯技术有限公司 | 发明人 | S·萨利姆;A·E·霍尔默;R·W·施鲁斯伯里 |
| 分类号 | B01D53/04(2006.01);B01D53/26(2006.01);F25J3/08(2006.01) | 主分类号 | B01D53/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;谭明胜 |
| 主权项 | 1.一种用于净化含有杂质的气体，以便生产出超高纯气体的方法，该方法包括以下步骤：a.使含有杂质的液化气体通过第一吸附装置以去除其液相中的杂质，从而产生初次净化流体；b.使上述初次净化流体通过液相过滤器以去除不挥发固体；c.使上述初次净化流体通过蒸发装置以去除其中的杂质，从而产生二次净化气体；和d.使上述二次净化气体通过第二吸附装置以去除其汽相中的杂质，从而生产出上述超高纯气体，所述超高纯气体中不挥发残余物的不能检测的限度小于1ppb，含水量小于200ppb。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||