| 主权项 |
1.一种半导体发光元件,其特征在于具备:于表面赋予电流阻止区域与电流注入区域之半导体层;为构成前述电流阻止区域,而形成于前述半导体层上之电流阻止层;形成于该电流阻止层上之垫整电极;及为构成前述电流注入区域,而形成于前述半导体层上之透光性电极;前述垫整电极乃具有与透光性电极连结之电极连结部。2.根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,透光性电极乃以4-20nm之膜厚形成,垫整电极乃以500-2000nm之膜形成,电流阻止层乃以150nm以上且前述垫整电极厚度之2倍以下的膜厚形成。3.根据申请专利范围第1或2项之半导体发光元件,半导体层乃以矩形或略矩形形状形成的,电流阻止层乃形成于前述半导体层之角隅或角隅附近,且,至少电极连结部之一部分乃位于相对于前述角隅之区域。4.根据申请专利范围第1或2项之半导体发光元件,电流阻止区域乃于垫整电极不存在之区域具有光取出部。5.根据申请专利范围第3项之半导体发光元件,电流阻止区域乃于垫整电极不存在之区域具有光取出部。6.根据申请专利范围第4项之半导体发光元件,光取出部乃从电流阻止层之端部具有5m以上之幅。7.根据申请专利范围第5项之半导体发光元件,光取出部乃从电流阻止层之端部具有5m以上之幅。8.根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,半导体层乃由至少具有1个的pn接合,且由InsAltGa1-s-tN(0≦s,0≦t,s+t≦1)所构成之氮化镓系半导体所构成的。9.根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,半导体层乃以矩形或略矩形形状所形成的,垫整电极乃形成于前述半导体层之角隅或角隅附近,于其上部具备一用以进行与外部之电气接续的线路,且,该线路以最短距离从垫整电极上朝发光元件外周延设。图式简单说明:第一图系本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件,而(a)为概略断面图,(b)为概略平面图。第二图系本发明之另一氮化镓系化合物半导体发光元件的概略断面图。第三图系本发明之再另一氮化镓系化合物半导体发光元件,而(a)为概略断面图,(b)为概略平面图。第四图系本发明之再另一氮化镓系化合物半导体发光元件的概略断面图。第五图系本发明之再另一氮化镓系化合物半导体发光元件的概略平面图。第六图系表示于第五图中之电流阻止层与垫整电极的配置之概略平面图。第七图系本发明之再另一氮化镓系化合物半导体发光元件的概略平面图。第八图系表示于第七图中之电流阻止层与垫整电极的配置的概略平面图。第九图系本发明之再另一氮化镓系化合物半导体发光元件的概略平面图。第十图系表示垫整电极之水平面上的膜厚与在侧壁之膜厚的关系图。第十一图系习知氮化镓系化合物半导体元件的概略断面图。 |
