利用光敏性低介电材料减少低温多晶矽薄膜电晶体的使用光罩数量之技术

摘要

一种利用光敏性低介电材料减少低温多晶矽薄膜电晶体的使用光罩数量之技术，主要系包括有下列步骤：于完成前置处理之玻璃基板上定义出一多晶矽主动区(polysilicon–island)；依序形成一闸极氧化层(gate oxide)及一第一金属层；图案化该第一金属层，以定义出闸极；形成一光敏性介电层；图案化该光敏性介电层及该闸极氧化层，以形成复数个接触窗；形成一穿透式画素电极层，并图案化该穿透式画素电极层；形成一反射式画素电极层，并图案化该反射式画素电极层。