Strukturieren eines magnetischen Tunnelübergang-Elements unter Verwendung von Nassätzen einer freien Schicht und unter Verwendung von Lift-Off-Techniken

摘要

Verfahren zum Strukturieren magnetischer Tunnelübergänge von magnetischen Speichereinrichtungen, wobei die zweite magnetische Schicht oder freie Schicht des Magnetstapels strukturiert werden kann unter Verwendung von Nassätz-Techniken. Eine Abdeckschicht wird gebildet auf der freien Schicht, nachdem die freie Schicht strukturiert wurde. Die Abdeckschicht wird gebildet unter Verwendung von Lift-off-Techniken. Zum Bilden der Abdeckschicht werden Resist-Schichten abgeschieden und strukturiert und Materialschichten werden auf den Resist-Schichten abgeschieden. Teile der Materialschichten, welche sich auf den Resist-Schichten befinden, werden entfernt, wenn der Resist gestrippt wird.