发明名称 fabrication method of a MOS transistor having a total silicide gate
摘要
申请公布号 KR100549001(B1) 申请公布日期 2006.02.02
申请号 KR20040007359 申请日期 2004.02.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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