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经营范围
发明名称
用于记忆体单元形成之原位表面处理
摘要
揭示一种用于在导电层上形成被动层的系统及方法,可在有机记忆体单元的制造期间完成,大体可减少知无机记忆体元件的固有缺点。该被动层包含导电促进化合物,例如硫化铜(Cu2S),其系由导电材料的上部产生。该导电材料可作为记忆体单元中之下层电极,且可经由用从氟(F)基底气体产生的电浆处理将该导电材料的上部转化为被动层。
申请公布号
TW200605145
申请公布日期
2006.02.01
申请号
TW094110432
申请日期
2005.04.01
申请人
高级微装置公司
发明人
刘台凤(安琪拉T) HUI, ANGELA T.
分类号
H01L21/00;H01L21/311
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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